| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 메모리 장치의 고전압 발생회로를 공개한다. 그 회로는 액티브 신호에 응답하고 고전압의 레벨 강하를 검출하여 서브 고전압 검출신호를 발생하는 서브 고전압 검출기, 스탠바이 및 액티브시에 고전압의 레벨 강하를 검출하여 메인 고전압 검출신호를 발생하는 메인 고전압 검출기, 서브 고전압 검출신호가 발생되는 경우 및 액티브 신호에 응답하고 메인 고전압 검출신호가 발생되는 경우에 최종 서브 고전압 검출신호를 발생하는 최종 서브 고전압 검출기, 최종 서브 고전압 검출신호에 응답하여 고전압의 레벨을 보상하는 서브 고전압 발생기, 및 메인 고전압 검출신호에 응답하여 고전압의 레벨을 보상하는 메인 고전압 발생기로 구성되어 있다. 따라서, 액티브시에 워드 라인이 인에이블되기 전에 서브 고전압 검출기가 고전압의 레벨 강하를 검출하여 서브 고전압 검출신호를 발생함으로써 고전압 레벨을 정확하고 빠르게 보상할 수 있다.</p> |
