PRODUCTION METHOD FOR A SEMICONDUCTOR COMPONENT

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Substrat (1) und einem auf dem Substrat (1) angeordneten Elektrodenstapel (7, 9', 11', 13), welcher eine Polysilizium-Elektrodenschicht (7) und eine darüberliegende wolframhaltige Elektrodenschicht (9') aufweist, mit den Schritten: Bereitstellen des Substrats (1); Abscheiben einer Schichtenfolge mit der Polysiliziumschicht (7), einer darüber liegenden wolframhaltigen Vorläuferschicht (9) und einer darüber liegenden Schutzschicht; Tempern der Schichtenfolge bei einer ersten Temperatur (T1), bei der eine kristalline Umwandlung in der wolframhaltigen Vorläuferschicht (9) stattfindet, so dass daraus die Elektrodenschicht (9') gebildet wird; Strukturieren der Schichtenfolge zum Elektrodenstapel (7, 9', 11', 13); und Bildung von Seitenwandspacern (13) durch Oxidieren der Polysiliziumschicht (7) bei einer zweiten Temperatur (T2), wobei die zweite Temperatur (T2) derart niedriger als die erste Temperatur (T1) gew hlt ist, dass keine kristalline Umwandlung in der Elektrodenschicht (9') stattfindet.