| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 집적회로 공정에서 접촉 구조의 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 위에 STI와 게이트 산화막, 게이트 전극을 형성한 다음, LDD 영역을 형성한다. 이어, 게이트 측벽 스페이서를 형성한 후, 소스 및 드레인을 형성하고 Ti막을 스퍼터링한다. 열처리 공정으로 Ti막을 실리사이드화 한 후 CHF를 이용하여 1차 플라스마 처리하고 이어 O를 이용하여 2차 플라스마 처리한다. 다음, TEOS막과 BPSG막을 증착하고 식각하여 게이트 전극 상부의 실리사이드막, 그리고 게이트 전극과 STI 사이의 실리사이드막을 각각 드러내는 접촉구를 형성하고, 드러난 실리사이드막을 O플라스마 처리한다. 본 발명에서는 심한 거칠기를 가지는 실리사이드막을 플라스마 처리하여 거칠기를 감소시키므로 그 상부에 형성될 배선층과 접촉 면적이 넓어져 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.</p> |
