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发明名称 Verfahren zur Diffusion von Störstellen aus einer dotierten SOG-Schicht, in Seitenwänden von Halbleiterstrukturen
摘要
申请公布号 DE69331651(T2) 申请公布日期 2002.11.21
申请号 DE1993631651T 申请日期 1993.10.01
申请人 NCR INTERNATIONAL, INC.;HYUNDAI ELECTRONICS AMERICA, MILPITAS;SYMBIOS LOGIC INC., FORT COLLINS 发明人 ALLMAN, DERRYL DWAYNE JOHN;MILLER, GAYLE WILBURN
分类号 H01L21/225;H01L21/316;H01L21/334;H01L21/335;(IPC1-7):H01L21/225 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
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