| 发明名称 | 以光学方法测量温度并监控蚀刻率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种以光学方法测量温度并监控蚀刻率方法以及运用该方法之蚀刻装置。本发明方法适用于一等离子体蚀刻装置。本发明方法首先进行一蚀刻工艺,接着于蚀刻工艺进行时,监控该放电所产生的特定波长光的强度分布。最后依据该特定波长光的强度分布以及一运算规则,以光学方法得到一温度并对照出该蚀刻工艺蚀刻率。 | ||
| 申请公布号 | CN1380541A | 申请公布日期 | 2002.11.20 |
| 申请号 | CN01110453.8 | 申请日期 | 2001.04.10 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 李世琛 |
| 分类号 | G01N21/00;G01N21/62;G01N21/73 | 主分类号 | G01N21/00 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种以光学方法测量温度并监控蚀刻率的方法，适用于一等离子体蚀刻装置，其特征在于该方法包含有下列步骤：进行一等离子体蚀刻工艺；监控该等离子体蚀刻工艺进行时等离子体放电所产生的特定波长光的强度分布；以及依据所述的特定波长光的强度分布，以及一运算规则以光学方法得到一温度并对照出该等离子体蚀刻工艺的蚀刻率。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||