Method of manufacturing control gate of flash memory device
摘要
<p>본 발명은 플래쉬 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 콘트롤게이트를 형성하기 위한 식각공정에서, 텅스텐 실리사이드와 콘트롤 게이트용 폴리실리콘층을 동시에 식각하여 텅스텐 실리사이드가 훼손되던 현상을 억제하므로써 워드라인의 저항을 감소시켜 소자의 반응속도 향상, 수율 증가 및 공정을 감소시킬 수 있는 플래쉬 메모리 소자의 콘트롤게이트 형성방법이 개시된다.</p>
