| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 자기정렬 콘택(Self Align Contact; SAC) 식각 공정을 콘택홀을 형성하는 경우 콘택 사이즈가 증가하고 식각 장벽층의 손실로 인해 소자간 단락이 발생하는 문제점을 해결하기 위하여, SAC 식각 공정시 식각 선택비가 우수한 폴리실리콘을 식각 장벽층으로 활용하므로써, 식각 장벽층의 손실을 최소화하여 콘택과 하부 도전층과의 단락을 방지할 수 있고 더욱 미세한 콘택을 안정적으로 형성할 수 있도록 한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법이 개시된다.</p> |
