发明名称 |
Nonvolatile memory architecture and integrated circuit comprising such a memory |
摘要 |
<p>Une architecture mémoire non volatile organisée par mots comprend un transistor de sélection TS0,0 par mot M0,0. Ce transistor de sélection permet la sélection du mot par la source des cellules mémoire. De cette façon la sélection peut se faire directement par les signaux de sortie des décodeurs, en logique basse tension. La commutation de la haute tension sur les grilles et les drains des cellules est assurée indépendamment de cette sélection, permettant la réduction du nombre des commutateurs haute tension nécessaire. <IMAGE></p> |
申请公布号 |
EP1256961(A1) |
申请公布日期 |
2002.11.13 |
申请号 |
EP20020291142 |
申请日期 |
2002.05.06 |
申请人 |
STMICROELECTRONICS S.A. |
发明人 |
DRAY, CYRILLE;FOURNEL, RICHARD;THOMAS, SIGRID |
分类号 |
G11C16/04;(IPC1-7):G11C16/04 |
主分类号 |
G11C16/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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