| 发明名称 | 溅射靶、透明导电氧化物和制备该溅射靶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种至少包括氧化铟和氧化锌的溅射靶,其中由In/(In+Zn)表示的原子比是0.75至0.97,包括由In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>(ZnO)<SUB>m</SUB>表示的六方晶层状化合物,其中m是2至20的正整数,并且该六方晶层状化合物的晶粒粒径是5微米或更小。 | ||
| 申请公布号 | CN1379827A | 申请公布日期 | 2002.11.13 |
| 申请号 | CN00814473.7 | 申请日期 | 2000.11.22 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;渋谷忠夫;海上晓 |
| 分类号 | C23C14/34;C04B35/00 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1、一种至少包括氧化铟和氧化锌的溅射靶，其中由In/(In+Zn)表示的原子比是0.75至0.97，包括由In2O3(ZnO)m表示的六方晶层状化合物，其中m是2至20的正整数，并且该六方晶层状化合物的晶粒粒径是5微米或更小。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||