半导体存储器件

摘要

一个半导体动态随机存取存储器器件含有开关晶体管(22)、另一个开关晶体管(34/35)一个第一中间层绝缘结构(25/26)、一个位线(27)、一个信号线路层(38)、一个第二中间绝缘层(28/29)、和一个存储电容器(23)；寄生电容是对于沿位线(27)信号传播速度的主要因素，而电阻是对于沿信号线路层(38)信号传播速度的主要因素；而该位线比该信号线路层薄。因为相邻位线间的电容占有寄生电容的数量。

主权项

1、一个制造在一种半导体基片(21；58)之上的半导体存储器器件，包括：一个为存储数据信息制造在所述半导体基片的第一部分上的数据存储器件(MC；60/61)；一个为控制对所述数据存储器件的数据存取制造在所述半导体基片的第二部分上的外部电路(PC；64)；一个形成在所述半导体基片的所述第一部分和所述第二部分上的第一中间层绝缘结构(25；65/66/67)；并且具有一组接触孔(25a/25b/25c；69a/69b/69c)，其延伸到分配给代表所述数据信息的第一个信号的所述数据存储器件的第一端口(22d)和分配给第二信号的所述外部电路的第二端口(34d；34d/35d)；一个在所述第一部分上的所述第一中间层绝缘结构上扩展的第一导电通路(27；62)，且电连接到所述第一端口；和一个在所述第二部分上的所述第一中间层绝缘结构上扩展的第二导电通路(40；63)，并电连接到所述第二端口，其特征在于所述第一导电通路有一个第一厚度和第一上表面，而所述第二导电通路有比所述第一厚度大的第二厚度和基片上与所述第一上表面共面的第二上表面。