| 发明名称 | 减少微影制程旁瓣的方法 | ||
| 摘要 | 一种改善微影制程旁瓣产生的方法,其包括下列步骤:于半导体基底上形成光阻层;以相移式光罩对此光阻层进行曝光,将光罩上的图形转移至光阻上;之后,对曝光后的光阻层进行后曝光烘烤步骤;最后再进行显影,完成光阻层的图案化。本发明特点:可减少旁瓣的产生;仅以调整制程参数即可增加光阻层的对比,不须额外制作光罩,或是增加额外制程,与现有的制程兼容;应用范围广泛,不受光阻种类限制。可应用于ArF,KrF,I－line或G－line或DUV的光阻材质。 | ||
| 申请公布号 | CN1379441A | 申请公布日期 | 2002.11.13 |
| 申请号 | CN01109524.5 | 申请日期 | 2001.03.30 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 王立铭;蔡高财 |
| 分类号 | H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种减少微影制程旁瓣的方法，其特征在于：该方法包括：提供一基底；在该基底上形成一光阻层；以一光罩对该光阻层进行曝光；对曝光过的该光阻层进行一后曝光烘烤步骤；以及对该光阻层进行显影。 | ||
| 地址 | 台湾新竹科学工业园区研新三路四号 | ||