发明名称 | 使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法 | ||
摘要 | 一种使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法。维持固定源极电压Vs与基底电压Vb并改变漏极电压Vd与控制栅电压Vcg,测量第一GIDL电流以得到第一耦合系数比αd/αcg。维持固定漏极电压Vd与基底电压Vb并改变源极电压Vs与控制栅电压Vcg,测量第二GIDL电流以得到第二耦合系数比αs/αcg。维持固定漏极电压Vd与源极电压Vs并改变控制栅电压Vcg与基底电压Vb,测量第三GIDL电流以得到第三耦合系数比αb/αcg。再依据规则方程式αd+αs+αb+αcg=1,求得漏极耦合系数αd、源极耦合系数αs、基底耦合系数αb与控制栅耦合系数αcg之值。 | ||
申请公布号 | CN1379457A | 申请公布日期 | 2002.11.13 |
申请号 | CN01110315.9 | 申请日期 | 2001.04.03 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡荣昱;黄智睦;高启弘;赵传珍 |
分类号 | H01L21/66;G01R31/26;G01R31/28 | 主分类号 | H01L21/66 |
代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1、一种使用GIDL方法来求取闪存的完整耦合系数的方法,该闪存是由一基底、一源极、一漏极、一控制栅与一浮置栅所组成,其特征在于:其包括下列步骤:维持固定源极电压Vs与基底电压Vb,并改变漏极电压Vd与控制栅电压Vcg;测量第一GIDL电流,以得到该漏极耦合系数与该控制栅耦合系数的第一耦合系数比αd/αcg;维持固定漏极电压Vd与基底电压Vb,并改变源极电压Vs与控制栅电压Vcg;量测第二GIDL电流,以得到该源极耦合系数与该控制栅耦合系数的第二耦合系数比αs/αcg;维持固定漏极电压Vd与源极电压Vs,并改变控制栅电压Vcg与基底电压Vb;量测第三GIDL电流,以得到基底耦合系数与控制栅耦合系数的第三耦合系数比αb/αcg;依据第一耦合系数比αd/αcg、第二耦合系数比αs/αcg、第三耦合系数比αb/αcg与规则方程式αd+αs+αb+αcg=1,求得漏极耦合系数αd、源极耦合系数αs、基底耦合系数αb与控制栅耦合系数αcg之值。 | ||
地址 | 台湾新竹科学工业园区研新三路四号 |