发明名称 使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法
摘要 一种使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法。维持固定源极电压Vs与基底电压Vb并改变漏极电压Vd与控制栅电压Vcg,测量第一GIDL电流以得到第一耦合系数比αd/αcg。维持固定漏极电压Vd与基底电压Vb并改变源极电压Vs与控制栅电压Vcg,测量第二GIDL电流以得到第二耦合系数比αs/αcg。维持固定漏极电压Vd与源极电压Vs并改变控制栅电压Vcg与基底电压Vb,测量第三GIDL电流以得到第三耦合系数比αb/αcg。再依据规则方程式αd+αs+αb+αcg=1,求得漏极耦合系数αd、源极耦合系数αs、基底耦合系数αb与控制栅耦合系数αcg之值。
申请公布号 CN1379457A 申请公布日期 2002.11.13
申请号 CN01110315.9 申请日期 2001.04.03
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 蔡荣昱;黄智睦;高启弘;赵传珍
分类号 H01L21/66;G01R31/26;G01R31/28 主分类号 H01L21/66
代理机构 北京集佳专利商标事务所 代理人 王学强
主权项 1、一种使用GIDL方法来求取闪存的完整耦合系数的方法,该闪存是由一基底、一源极、一漏极、一控制栅与一浮置栅所组成,其特征在于:其包括下列步骤:维持固定源极电压Vs与基底电压Vb,并改变漏极电压Vd与控制栅电压Vcg;测量第一GIDL电流,以得到该漏极耦合系数与该控制栅耦合系数的第一耦合系数比αd/αcg;维持固定漏极电压Vd与基底电压Vb,并改变源极电压Vs与控制栅电压Vcg;量测第二GIDL电流,以得到该源极耦合系数与该控制栅耦合系数的第二耦合系数比αs/αcg;维持固定漏极电压Vd与源极电压Vs,并改变控制栅电压Vcg与基底电压Vb;量测第三GIDL电流,以得到基底耦合系数与控制栅耦合系数的第三耦合系数比αb/αcg;依据第一耦合系数比αd/αcg、第二耦合系数比αs/αcg、第三耦合系数比αb/αcg与规则方程式αd+αs+αb+αcg=1,求得漏极耦合系数αd、源极耦合系数αs、基底耦合系数αb与控制栅耦合系数αcg之值。
地址 台湾新竹科学工业园区研新三路四号