| 发明名称 | 氮化物半导体激光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有优异光学特性的III族氮化物半导体激光器件及其制造方法。该方法并不包括需要高装配精度的步骤。该III族氮化物半导体激光器件包括具有切开部分的衬底。一个多层体的激光面位于该衬底的该切开部分之附近。 | ||
| 申请公布号 | CN1379517A | 申请公布日期 | 2002.11.13 |
| 申请号 | CN02108590.0 | 申请日期 | 2002.04.02 |
| 申请人 | 先锋株式会社 | 发明人 | 宫地护;太田启之 |
| 分类号 | H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 夏青 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体激光器件，包括一个多层体和一个衬底，该多层体包括多个III族氮化物半导体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)晶体层，该衬底是非常易切开的，其中，所述多层体和所述衬底彼此粘合，所述衬底在所述多层体之激光面附近具有至少一个切开部分。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||