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<p>본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체 누설 전류로 인한 신뢰성 저하를 방지하기 위해서 논리 회로 영역과 메모리 영역이 동일 평면상에 제조되던 종래의 반도체 장치가 갖는 집적도의 한계를 극복하기 위해서, 누설 전류의 영향을 받지 않는 강유전체 메모리 영역을 논리 회로 영역의 상부에 적층한 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공함으로써, 메모리가 구비되는 반도체 장치의 집적도를 증진시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
