| 发明名称 | 半导体晶片及其制造方法以及半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件,包括:由具有平坦表面的单晶硅构成的半导体衬底、第一元件形成区域、第二元件形成区域、第三元件形成区域和在第一到第三元件形成区域的每一个上形成的用途不同的半导体元件。第一元件形成区域具有从半导体衬底表面埋入到规定深度处的第一埋置绝缘膜。第二元件形成区域具有从半导体衬底表面埋入到比第一埋置绝缘膜浅的位置处的第二埋置绝缘膜。第三元件形成区域从半导体衬底表面到与该表面相反的背面之间由单晶硅构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1379464A | 申请公布日期 | 2002.11.13 |
| 申请号 | CN02118043.1 | 申请日期 | 2002.03.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 江头克 |
| 分类号 | H01L21/84 | 主分类号 | H01L21/84 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶片，其特征在于包括：由具有平坦表面的单晶硅构成的半导体衬底；具有从上述表面埋入到规定深度处的第一埋置绝缘膜的第一元件形成区域；具有从上述表面埋入到比上述第一埋置绝缘膜浅的位置处的第二埋置绝缘膜的第二元件形成区域；从上述表面到与该表面相反的背面之间由单晶硅构成的第三元件形成区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||