| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置,包括存储单元部和外围电路部。上述存储单元部具有:在第1方向延伸的第1布线;配置在上述第1布线上方并在第2方向延伸的第2布线;在上述第1和第2布线间配置的第3布线;以及配置上述第1和第2布线的交点上并连接上述第2和第3布线的第1磁电阻效应元件。上述外围电路部具有:第4布线;配置在上述第4布线上方的第5布线;以及配置在上述第4和第5布线间,连接上述第4和第5布线,并作为电阻元件、熔丝元件或接点使用的第2磁电阻效应元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1379472A | 申请公布日期 | 2002.11.13 |
| 申请号 | CN02119813.6 | 申请日期 | 2002.03.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 浅尾吉昭;须之内一正;中岛健太郎 |
| 分类号 | H01L27/00;G11C11/15 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储装置，具有存储单元部和配置在该存储单元部外围的外围电路部，其特征在于，上述存储单元部具有：在第1方向延伸的第1布线；配置在上述第1布线上方，并在与上述第1方向不同的第2方向延伸的第2布线；配置在上述第1和第2布线间的第3布线；以及配置在上述第1和第2布线间的上述第1和第2布线的交点上，并连接上述第2和第3布线的第1磁电阻效应元件，上述外围电路部具有：第4布线；配置在上述第4布线上方的第5布线；以及配置在上述第4和第5布线间，连接上述第4和第5布线，并作为电阻元件、熔丝元件和接点中的任一个使用的第2磁电阻效应元件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||