| 发明名称 |
Method of fabricating high voltage power MOSFET having low on-resistance |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US6479352(B2) |
申请公布日期 |
2002.11.12 |
| 申请号 |
US20010766229 |
申请日期 |
2001.01.19 |
| 申请人 |
GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. |
发明人 |
BLANCHARD RICHARD A. |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/225;H01L21/336;H01L21/66;H01L29/06;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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