| 主权项 |
1.一种正抗光蚀组合物,其包含占固体60重量%至98重量%之硷溶性树脂,占固体2重量%至40重量%之光活性化合物,以下列结构代表其中X是氧,Y是连接基,譬如SO2.CO、O或NR',Z是具有分子量大于150且是选自包括具有氧或氮侧基的聚合物,及一个具有下式的调节用基团:(R1-)n、R1-(O)n、R1-(CO)n、R1-(CO2)n、R3-(R4N)n或R5(SO2)n,其中R1至R5独立为具有大于6个碳原子的烷基,苯基或苯基C1-C6烷基,且n是重氮化度,且可与连接基形成一个键结,R独立为H、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、苯基、苯基C1-C6烷基、卤基或氟-C1-C6烷基,m=1-3且n≧1;以及相对于固体95重量%之溶剂组合物。2.根据申请专利范围第1项的组合物,其中X是氧,且Y是SO2。3.根据申请专利范围第1项的组合物,其中X是N-R',且Y是SO2。4.根据申请专利范围第1项的组合物,其中X是氧,且Y是氧。5.根据申请专利范围第1项的组合物,其中X是氧,且Y是在6的位置上。6.根据申请专利范围第1项的组合物,其中Z-H是选自包括三羟基苯乙烷、双酚A、4,8-双羰基-三环[5.2.1.02,6]癸烷、酚醛清漆树脂、聚(4-羟基苯乙烯)及聚(共-羟基苯乙烯-2-羟基苯乙烯),羟基苯乙烯与选自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯之一员及其混合物之共聚物,聚(羟基苯乙烯-共-第三-丁氧羰氧基苯乙烯);聚(羟基苯乙烯-共-羟甲基苯乙烯);聚(羟基苯乙烯-共-乙醯氧基甲基苯乙烯);及烷基取代的聚乙烯基酚类。7.根据申请专利范围第1项的组合物,其中Z是有机残基,且具有多于六个碳原子。8.根据申请专利范围第1项的组合物,其中Z具有分子量大于175。9.根据申请专利范围第1项的组合物,其中硷溶性树脂是选自包括高透明度的酚醛清漆树脂、聚(4-羟基苯乙烯)、聚(共-4-羟基苯乙烯-2-羟基苯乙烯)、聚(羟基苯乙烯-顺丁烯二醯亚胺),羟基苯乙烯与选自丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯之一员及其混合物之共聚物,聚(羟基苯乙烯-共-第三-丁基羰氧基苯乙烯)、聚(羟基苯乙烯-共-羟甲基苯乙烯),聚(羟基苯乙烯-共-乙醯氧基甲基苯乙烯);及烷基取代的聚乙烯基酚类。10.根据申请专利范围第1项的组合物,其中溶剂是选自包括丙二醇单烷基醚、醋酸丙二醇甲基醚酯、2-庚酮、苯甲醚、醋酸丁酯、醋酸戊酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯、醋酸乙二醇单乙基醚及其混合物。11.一种使正抗光蚀组合物成像的方法,其包括以下步骤:a)将申请专利范围第1项的抗光蚀组合物涂覆在基材上;b)将该基材加热,以实质地移除该溶剂;c)成像式地照射该抗光蚀薄膜;d)加热该涂覆过的基材,从温度90℃至150℃,于加热板上进行30秒至180秒,或在烘箱中进行15分钟至40分钟。e)用一种硷性显影f剂使照射过的薄膜显影;f)加热该涂覆过的基材,从温度90℃至150℃,于加热板上进行30秒至180秒,或在烘箱中进行15分钟至40分钟。g)视情况在显影步骤之前或之后加热该薄膜。12.根据申请专利范围第11项的方法,其中该抗光蚀薄膜系使用波长在350毫微米以下的光线成像式地照射。13.根据申请专利范围第11项的方法,其中硷性显影剂包含氢氧化四甲基胺的水溶液。14.根据申请专利范围第11项的方法,其中该基材包含一或多种组分,选自包括矽、铝、聚合树脂、二氧化矽、经掺杂的二氧化矽、氮化矽、钽、铜及聚矽。 |
