半导体晶圆的制造方法

摘要

提供一种半导体晶圆的制造方法，藉着在最低位准的表面研磨晶圆之外周缘部份及中心附近，限制平坦度的降低，并校正两个部份的平坦度之降低，能以良好的效率从通过表面研磨步骤的晶圆，制造各具有较高平坦度之半导体晶圆，以容易在平坦化或抛光步骤中将晶圆平坦化。当使用杯型磨具让固定在夹盘上的半导体晶圆被表面研磨，半导体晶圆被研磨至其中心，使得磨具切割进入在其外周缘的半导体晶圆，并在其中心部份移动远离半导体晶圆，且依据PACE方法使研磨的半导体晶圆被平坦化。

主权项

1.一种半导体晶圆的制造方法,其特征为:当使用杯型磨具平面磨削固定于夹盘的半导体晶圆时,使该磨具自半导体晶圆的外周缘切入,于该半导体晶圆的中心部使该磨具脱离该半导体晶圆,朝该半导体晶圆的中心磨削,利用PACE法平坦化该被磨削的半导体晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆的制造方法,其中利用PACE法平坦化的半导体晶圆更以CMP来研磨。3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆的制造方法,其中半导体晶圆的旋转方向与磨具的旋转方向为相同方向,使该磨具自半导体晶圆的外周缘切入。4.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆的制造方法,其中半导体晶圆的旋转方向与磨具的旋转方向为相反方向,使该磨具自半导体晶圆的外周缘切入。5.如申请专利范围第3项所述之半导体晶圆的制造方法,其中藉由调整磨具的旋转轴与夹盘的旋转轴所夹的角度,使该磨具自半导体晶圆的外周缘切入。6.如申请专利范围第4项所述之半导体晶圆的制造方法,其中藉由调整磨具的旋转轴与夹盘的旋转轴所夹的角度,使该磨具自半导体晶圆的外周缘切入。7.一种半导体晶圆的制造方法,其特征为:当使用杯型磨具平面磨削固定于夹盘的半导体晶圆时,使该磨具自半导体晶圆的中心切入,于该半导体晶圆的外周缘使该磨具脱离该半导体晶圆,朝该半导体晶圆的外周缘磨削,利用CMP研磨该被磨削的半导体晶圆。8.如申请专利范围第7项所述之半导体晶圆的制造方法,其中半导体晶圆的旋转方向与磨具的旋转方向为相同方向,使该磨具自半导体晶圆的中心切入。9.如申请专利范围第7项所述之半导体晶圆的制造方法,其中半导体晶圆的旋转方向与磨具的旋转方向为相反方向,使该磨具自半导体晶圆的中心切入。10.如申请专利范围第8项所述之半导体晶圆的制造方法,其中藉由调整相对于磨具的旋转轴之夹盘的旋转轴的角度,使该磨具自半导体晶圆的中心切入。11.如申请专利范围第9项所述之半导体晶圆的制造方法,其中藉由调整相对于磨具的旋转轴之夹盘的旋转轴的角度,使该磨具自半导体晶圆的中心切入。12.如申请专利范围第1项至第6项中任一项所述之半导体晶圆的制造方法,其中固定该半导体晶圆的夹盘系使用藉由令杯型磨具自夹盘的外周缘切入,朝该夹盘的中心磨削来进行平面磨削精加工的夹盘。13.如申请专利范围第7项所述之半导体晶圆的制造方法,其中固定该半导体晶圆的夹盘系使用藉由令杯型磨具自夹盘的中心切入,朝该夹盘的外周缘磨削来进行平面磨削精加工的夹盘。14.如申请专利范围第8项所述之半导体晶圆的制造方法,其中固定该半导体晶圆的夹盘系使用藉由令杯型磨具自夹盘的中心切入,朝该夹盘的外周缘磨削来进行平面磨削精加工的夹盘。15.如申请专利范围第9项所述之半导体晶圆的制造方法,其中固定该半导体晶圆的夹盘系使用藉由令杯型磨具自夹盘的中心切入,朝该夹盘的外周缘磨削来进行平面磨削精加工的夹盘。16.如申请专利范围第10项所述之半导体晶圆的制造方法,其中固定该半导体晶圆的夹盘系使用藉由令杯型磨具自夹盘的中心切入,朝该夹盘的外周缘磨削来进行平面磨削精加工的夹盘。17.如申请专利范围第11项所述之半导体晶圆的制造方法,其中固定该半导体晶圆的夹盘系使用藉由令杯型磨具自夹盘的中心切入,朝该夹盘的外周缘磨削来进行平面磨削精加工的夹盘。18.如申请专利范围第7项至第11项以及第13项至第17项中任一项所述之半导体晶圆的制造方法,其中使该半导体晶圆的被磨削面所产生的磨削条痕,自该被磨削面上的中心沿着具有任意半径的圆曲线,在后面的研磨工程中,于研磨装置内朝该半导体晶圆的自转方向变成凸形状,来平面磨削该半导体晶圆。19.如申请专利范围第7项至第11项以及第13项至第17项中任一项所述之半导体晶圆的制造方法,其中在平面磨削后的研磨工程中,于研磨装置内,使该半导体晶圆的被磨削面所产生的磨削条痕之凸形状的凸方向与该半导体晶圆的自转方向一致来研磨该半导体晶圆。图式简单说明:图1系显示本发明方法之第一实施样态的工程例之流程图。图2系显示本发明方法之第二实施样态的工程例之流程图。图3系显示本发明方法之第三实施样态的工程例之流程图。图4系显示本发明方法之第四实施样态的工程例之流程图。图5系显示本发明方法之第一实施样态的工程例之说明图。图6系显示本发明方法之第二实施样态的工程例之说明图。图7系显示本发明方法之第三实施样态的工程例之说明图。图8系显示本发明方法之第四实施样态的工程例之说明图。图9系显示平面磨削晶圆时所形成的磨削条痕之模样,(a)系显示实施例一以及实施例二中的晶圆之平面磨削,(b)系显示实施例三中的晶圆之平面磨削。图10系显示习知的晶圆之平面磨削方法的工程顺序之模式说明,(a)系显示夹盘的平面磨削,(b)系显示固定晶圆到被平面磨削的夹盘,(c)系显示晶圆的平面磨削。图11系概念地显示因杯型磨具所造成的工件之平面磨削中的磨削量的变动之说明图。图12系显示本发明之第五实施样态的工程例之说明图。图13系显示本发明之第六实施样态的工程例之说明图。图14系显示本发明之第七实施样态的工程例之说明图。图15系显示本发明之第八实施样态的工程例之说明图。