发明名称 用以从供电启动时须耗费时间生成之其它信号产生信号的技术
摘要 一种偏压电压产生器为不同之外部电源电压EVCC(例如,让EVCC=3.3V或5.0V)产生同一偏压电压VBB。在供电启动中,产生VBB之充电泵系由一赋能信号(ExtEm)以 EVCC为准而控制。稍后一内部供输电压IVCC变为完全发展至一与EVCC无关之一值(例如,IVCC=3.0V),以及此充电泵变成由一赋能信号(IntEn)以IVCC为准而控制。此一赋能信号(IntEn)将促使VBB到达其目标值,例如,-1.5V。此一目标值系与EVCC无关。在供电启动中,当此充电泵系由(ExtEn)控制时,此偏压电压VBB系被驱动至一中间值(例如,-0.5V或-1V)。此一中间值视EVCC而定,但在数值上系低于目标值。此中间值在供电启动中减少锁存之可能性,但此中间值不会超越此目标值,因此不会在偏压电压系对其应用之半导体区域内产生一显着之正一负接面电流漏电。
申请公布号 TW510078 申请公布日期 2002.11.11
申请号 TW087107231 申请日期 1998.05.11
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 劳伦斯.刘;麦克A.马雷;李立钧
分类号 H03K17/22 主分类号 H03K17/22
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种用以产生信号S0之电路,该电路包含:一具有一控制输入之电路C1,其系用以产生该信号S0;一第一控制电路,其系用以接收一第一电源供应信号并产生一第一控制信号以控制该电路C1;一第二控制电路,其系用以接收一具有实质上独立于该第一电源供应信号之特性之一第二信号,及用以产生一用以控制该电路C1之第二控制信号;以及一耦合电路,其系用以接收该等第一及第二控制信号,及于供电启动期间且该第二信号系正生成之同时,用以将该第一控制信号耦合至该电路C1之该控制输入,并于该第二信号已生成时用以将该第二控制信号耦合至该控制输入。2.如申请专利范围第1项所述之电路,其中独立于该第一电源供应信号之该特性系该第二信号之一电压准位。3.如申请专利范围第1项所述之电路,其中当该第一控制信号系耦合至该控制输入时,该第一控制信号将该信号S0驱动至一取决于该第一电源供应信号之第一电压准位,且当该第二控制信号耦合至该控制输入时,该第二控制信号将该信号S0驱动至一独立于该第一电源供应信号之第二电压准位。4.如申请专利范围第3项所述之电路,其中当该第一控制信耦合至该控制输入时,该信号S0在电压上变成接近于该第二准位但不到达该第二准位。5.如申请专利范围第1项所述之电路,其更包含一用以由该第一电源供应信号产生该第二信号之电路。6.如申请专利范围第1项所述之电路,其更包含一个或多个主体区系由该信号S0所偏压之电晶体。7.如申请专利范围第6项所述之电路,其中该等主体区具有该P型导电性且该信号S0系用以将该等主体区偏压至一负电压。8.如申请专利范围第6项所述之电路,其中该一个或多个电晶体系记忆体晶胞之电晶体。9.如申请专利范围第8项所述之电路,其中该等记忆体晶胞系动态随机存取记忆体晶胞。10.如申请专利范围第1项所述之电路,其中该耦合电路系于该第二信号业已生成该第二控制信号时促使该信号S0成为在一预定准位时,将该第二控制信号耦合至该控制输入。11.如申请专利范围第1项所述之电路,其中为驱动该信号S0,该电路C1为导通与关闭系取决于一信号在该电路C1之该控制输入之一准位。12.如申请专利范围第1项所述之电路,其中该第一控制电路包含:一第一电压分压器,其系连接于一接收该第一电源供应信号之端子与一接收该信号S0之端子间;及一用以由该第一电压分压器之一输出产生该第一控制信号之电路;其中该第二控制电路包含:一第二电压分压器,其系连接于一接收该第二电源供应信号之端子与一接收该信号S0之端子间;及一用以由该第二电压分压器之一输出产生该第二控制信号之电路;其中该电路C1包含一充电泵,该充电泵包含一振荡器,该振荡器之启动或中断系取决于在该电路C1之该控制输入之一电压。13.一种用以产生基体偏压电压S0之方法,该偏压电压S0至少可偏压一半导体基体之一区域,该方法包含:接收一第一电源供应电压,并由该第一电源供应电压产生一第二电源供应电压;由该第一电源供应电压产生一第一控制信号,且在与该第二电源供应电压生成同时之供电启动期间,使用该第一控制信号控制一产生该电压S0之电路C1,该第一控制信号被用以依据该电压S0而导通或关闭该电路C1;由该第二电源供应电压产生一第二控制信号,且在该第二电源供应电压生成后,使用该第二控制信号控制该电路C1,该第二控制信号被用以依据该电压S0而导通或关闭该电路C1。14.如申请专利范围第13项所述之用以产生基体偏压电压S0之方法,其中该第二电源供应电压准位系独立于该第一电源供应电压准位。15.如申请专利范围第13项所述之用以产生基体偏压电压S0之方法,其中当该第一控制信号被用以控制该电路C1时,该电压S0被驱动至一取决于该第一电源供应电压之第一电压准位,且当该第二控制信号被用以控制该电路C1时,该电压S0被驱动至一独立于该第一电源供应信号之第二电压准位。16.如申请专利范围第13项所述之用以产生基体偏压电压S0之方法,其中当该第一控制信号被用以控制该电路C1时,该电压S0被驱动至一第一电压准位,且当该第二控制信号被用以控制该电路C1时,该电压S0被驱动至一大于该第一电压准位之第二电压准位。17.如申请专利范围第13项所述之用以产生基体偏压电压S0之方法,其中该电压S0偏压一或多个电晶体之本体区。18.如申请专利范围第13项所述之用以产生基体偏压电压S0之方法,其中:该第一控制信号系由一连接于该第一电源供应电压与该电压S0间之电压分压器之一输出所产生;该第二控制信号系由一连接于该第二电源供应电压与该电压S0间之电压分压器之一输出所产生;该电路C1包含一充电泵,该充电泵包含一振荡器,在该第二电源供应信号正在生成的电源起动期间,该振荡器之启动或中断系取决于该第一控制信号,在该第二电源供应电压已生成后,该振荡器之启动或中断系取决于该第二控制信号。图式简单说明:第1和第2图系早期技艺之偏压电压产生器之电路图。第3至第6图系依照本发明之一偏压电压产生器之电路线图。第7图系用于第3至第6图之产生器之一定时图。第8图系可适合使用于第3至第6图之偏压电压发生器之早期技艺IVCC发生器之一方块图。
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