| 主权项 |
1.一种喷墨印表机的墨水加热装置,主要包括:一基板,定义其相向之二表面分别为第一表面及第二表面;一电源控制端,形成于基板的第一表面,则加热电流由该电源控制端流入;一接地控制端,形成于基板的第二表面,则加热电流穿经基板由该接地控制端流出;至少一个加热驱动单元,形成于基板上,每一个加热驱动单元包括:一P型垂直式功率MOSFET,其具有一源极形成一各自的源极接点,一汲极连接至接地控制端,及一闸极;及一一般N型侧向型MOSFET,其具有一汲极连接至P型垂直式功率MOSFET之闸极,一源极连接至端接地控制端,一闸极连接至一各自的位址控制端;及至少一个电阻加热器,形成于基板上,每一个电阻加热器的第一端对应连接至各自的源极接点,第二端连接至电源控制端。2.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该P型垂直式功率MOSFET为P型垂直式DMOSFET。3.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该P型垂直式功率MOSFET为P型垂直式UMOSFET。4.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该P型垂直式功率MOSFET为P型垂直式VMOSFET。5.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该P型垂直式功率MOSFET为P型垂直式EXTFET。6.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET为N型垂直式DMOSFET。7.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET为N型垂直式UMOSFET。8.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET为N型垂直式VMOSFET。9.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET为N型垂直式EXTFET。10.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该电源控制端与电阻加热器之第二端之间更连接一个二极体,其负极连接电阻加热器之第二端,正极连接至电源控制端。11.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该电源控制端与电阻加热器之第二端之间更连接复数个串联的二极体,其负极之一端电阻加热器之第二端,正极之一端连接至电源控制端。12.如申请专利范围第1项之墨水加热装置,该P型垂直式功率MOSFET之闸极与电源控制端之间更连接一电阻。13.一种喷墨印表机的墨水加热装置,主要包括:一基板,定义其相向之二表面分别为第一表面及第二表面;一电源控制端,形成于基板的第二表面,则加热电流穿经基板由该电源控制端流入;一接地控制端,形成于基板的第一表面,则加热电流由该接地控制端流出;至少一个加热驱动单元,形成于基板上,每一个加热驱动单元包括一N型垂直式功率MOSFET,其具有一源极形成一各自的源极接点,一汲极连接至电源控制端,及一闸极连接至一各自的位址控制端;及至少一个电阻加热器,形成于基板上,每一个电阻加热器的第一端对应连接至各自的源极接点,第二端连接至接地控制端。14.如申请专利范围第13项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET为N型垂直式DMOSFET。15.如申请专利范围第13项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET为N型垂直式UMOSFET。16.如申请专利范围第13项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET为N型垂直式VMOSFET。17.如申请专利范围第13项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET为N型垂直式EXTFET。18.如申请专利范围第13项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET之汲极与电源控制端之间更连接一个二极体,其负极连接N型垂直式功率MOSFET之汲极,正极连接至电源控制端。19.如申请专利范围第13项之墨水加热装置,该N型垂直式功率MOSFET之汲极与电源控制端之间更连接复数个串联的二极体,其负极之一端连接N型垂直式功率MOSFET之汲极,正极之一端连接至电源控制端。图式简单说明:第1及1A图为驱动加热墨水之晶片于墨水槽之位置图。第2图为驱动晶片之讯号线连接图。第3图为本发明包括P型垂直式功率MOSFET之电路图。第4图为本发明包括N型垂直式功率MOSFET之电路图。第5图为典型P型垂直式功率MOSFET元件之剖面图。 |
