| 主权项 |
1.一种CMP装置(化学机械抛光装置),系把比抛光对象物为小的抛光垫相对地压在抛光对象物上,使抛光对象物及抛光垫边以两者间产生相对运动之方式都进行旋转,边摇动抛光垫,来进行抛光;其特征在于抛光垫之形状满足以下条件:在抛光时间内抛光垫与抛光对象物之间的相对线速度之积分値、压力之积分値、及接触时间之积分値三者的积,系在抛光对象物面上所有的点,均占由该三者的积在抛光对象物面上所有的点之値当中的平均値之30%以内。2.如申请专利范围第1项之CMP装置,系在抛光垫上,设有至少1处以上之中空部分。3.如申请专利范围第2项之CMP装置,其中中空部分之面积占抛光垫全体面积之80%以下。4.如申请专利范围第2项之CMP装置,系设有一从中空部分供给研浆之机构。5.如申请专利范围第2项之CMP装置,其中前述中空部分之形状为圆以外的形状。6.一种CMP装置,系申请专利范围第1项之CMP装置;其特征在于:在抛光垫中心设有圆形之中空部分,当半径为r时,在离前述抛光垫中心既定距离之圆周上之有效抛光垫部之长度,扣除前述抛光垫端部后将在0.5r-4r之范围内。7.一种CMP装置,系申请专利范围第1-6项中任一项之CMP装置;其特征在于:抛光垫外形形状之中心与贴有抛光垫之转盘的旋转中心两者不会一致。8.一种半导体元件之制造方法,其特征在于:系一使用申请专利范围第1-6项中任一项之CMP装置来抛光晶圆之工程。9.一种半导体元件之制造方法,其特征在于:系一使用申请专利范围第7项之CMP装置来抛光晶圆之工程。图式简单说明:图1,系本发明实施例CMP装置一个例子之立体图。图2,系抛光垫传送机构之立体图。图3,系抛光垫及修整装置之部分剖面图。图4,系抛光垫之剖面图。图5,系实施例及比较例中之抛光垫之一个例子。图6,系显示本发明实施例中之摇动速度。图7,系本发明第1实施例中晶圆之抛光结果。图8,系显示比较例中之摇动速度。图9,系比较例中晶圆之抛光结果。图10,系本发明第2实施例中之抛光垫。图11,系本发明第2实施例中晶圆之抛光结果。图12,系本发明第3实施例中之抛光垫。图13,系半导体元件之制程。 |
