| 主权项 |
1.一种半导体组件制造时层之产生方法,此半导体组件制作在半导体基板上,其特征为:-半导体基板(6)之温度调整成小于或等于120℃;-半导体基板(6)承受一种程序气体混合物,此种混合物含有一种氟化之碳氢化合物,-藉由电浆聚合作用而在半导体基板(6)上方产生氟碳氢-聚合物膜(6.2,6.2')。2.如申请专利范围第1项之方法,其中程序气体混合物含有四氟甲烷,甲烷和一种缓冲气体(特别是氩)。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中电浆功率调整成小于300W,特别是小于250W。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中程序气体混合物之压力大于2.0104Pa,特别是大于2.7104Pa。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此程序室之温度小于50℃,特别是大约40℃。6.如申请专利范围第3项之方法,其中在层形成期间此四氟甲烷之气体流是45sccm,甲烷者是10sccm,该缓冲气体者是103sccm。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中使半导体基板(6)之背面冷却。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该氟碳氢-聚合物膜(6.2,6.2')沈积在先前所产生之光阻层(6.1')上。9.一种半导体组件层,其形成在半导体基板(6)上,其特征为具有一种如申请专利范围第1至8项中任一项之方法所产生之氟碳氢-聚合物膜(6.2,6.2')。10.如申请专利范围第9项之半导体组件层,其中此氟碳氢-聚合物膜(6.2,6.2')可完全被灰化。11.如申请专利范围第9或第10项之半导体组件层,其中此氟碳氢-聚合物膜(6.2,6.2')作为光学活性-及/或导电性-及/或磁阻性有机或无机物质用之有机埋入材料。图式简单说明:第1图一种PECVD反应室之图解。第2图依据本发明之方法所制成之层序列之以电子显微镜摄得之照片。第3图其它以本发明之方法所制成之层序列之以电子显微镜摄得之照片。 |
