发明名称 一种刷洗一半导体晶片之晶背的刷洗装置
摘要 一种刷洗一半导体晶片之晶背的刷洗装置,该半导体晶片系放置于一可旋转的晶片承座上。该刷洗装置包含有一刷柄,一中空刷头以可上升及下降的方式设于该刷柄末端,一喷嘴设于该中空刷头之上,一叶片设于该中空刷头下侧,以及一驱动装置系连接该刷柄,用来驱动该刷柄做往复运动。当输入一水流以进行刷洗时,该晶片承座会转动该半导体晶片,该水流会同时带动该叶片及该中空刷头上升与转动,并经由该中空刷头自该喷嘴喷至该半导体晶片之晶背,而该驱动装置会带动该刷柄之刷头沿该半导体晶片之径向方向刷洗。
申请公布号 TW510037 申请公布日期 2002.11.11
申请号 TW088121633 申请日期 1999.12.10
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 赖圭熙;邱仕勋;黄国;郑清枝
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路三八九号五楼
主权项 1.一种刷洗一半导体晶片之晶背的刷洗装置,该半导体晶片系位于一可旋转的晶片承座(chuck)上方,该装置包含有:一刷柄(brush rod);一刷头(brush)设于该刷柄末端;一喷嘴(nozzle)设于该刷头上,系用来对该半导体晶片之晶背喷水;以及一驱动装置系连接该刷柄,用来驱动该刷柄做往复运动(reciprocating motion);其中当该晶片承座于转动该半导体晶片时,该喷嘴会对该半导体晶片之晶背喷水,而该驱动装置会带动该刷柄之刷头沿该半导体晶片之径向方向(radialdirection)刷洗。2.如申请专利范围第1项之刷洗装置,其中该刷头系为一中空刷头,水流系经过该中空刷头自该喷嘴喷出至该半导体晶片之晶背。3.如申请专利范围第1项之刷洗装置,其中该刷头系以可旋转的方式设于该刷柄末端。4.如申请专利范围第3项之刷洗装置,其中该刷头下侧设有一叶片(blade),当一水流过该叶片时,该水流会同时转动该叶片及该刷头。5.如申请专利范围第4项之刷洗装置,其中该刷头及叶片系以可上升及下降的方式设于该刷柄末端,当该水流流入该刷头及叶片下方时,该水流会带动该刷头及叶片上升,当该水流停止时,该刷头及叶片会随水压降低而下降。6.如申请专利范围第1项之刷洗装置,其中该刷头系以可上升及下降的方式设于该刷柄末端。7.如申请专利范围第1项之刷洗装置,其中该驱动装置包含有:一高压气体源系用来提供一高压气体;一气压缸(cylinder),其内部设有一活塞(piston)将该气压缸隔开为一第一气室(chamber)与一第二气室;二气体管线分别连接于该第一气室与该第二气室,用来传送该第一气室与该第二气室内之气体;一气体控制闸分别接连于该高压气压源与该气体管线,用来控制该气压缸内之气体的输入与排出,当该气体控制闸将该高压气体输入该第二气室并排出该第一气室内之气体时,该高压气体会推动该活塞往该气压缸之第一气室移动,反之,当该气体控制闸将该高压气体输入该第一气室并排出该第二气室内之气体时,该高压气体会推动该活塞往该气压缸之第二气室移动;以及一控制单元系连接于该气体控制闸,用来依一固定之周期来切换该气体控制闸,以定期改变该气压缸内气体输入与排出的方向;其中该刷柄系穿过该第一气室与该活塞相接,当该活塞会依该周期做周期运动时,该活塞会带动该刷柄之刷头来进行往复运动。8.如申请专利范围第7项之刷洗装置,其中该控制单元为一电子回馈(electrical feedback)式之控制单元,其包含有:二感应器分别设于该气压缸两侧之末端,当该活塞移动至该气压缸之末端时,该感应器会产生一相对应之信号;以及一切换单元分别电连接于该感应器与该气体控制闸,系用来根据该感应器所传来之信号,来切换该气体控制闸输入与排出气体的方向。9.如申请专利范围第7项之刷洗装置,其中该控制单元为一机械回馈(mechanical feedback)式之控制单元,而该气体控制闸为一触控式(trigger)气体控制闸,其左右侧各有一触控式切换开关,该机械回馈式之控制单元包含有:一H型滑动配件(H-sharp mechanism)系水平放置于该刷洗装置之内;以及一L型连杆系穿过该第二气室与该活塞相接,其底端设于该H型滑动配件之一开口内,当该活塞移动时,该L型连杆会随该活塞移动以带动该H型滑动配件;其中该触控式气体控制闸设于该H型滑动配件之另一开口内,当该活塞移动至该气压缸的末端时,该H型滑动配件会与该触控式气体控制闸一侧之触控式切换开关相接触,以切换该触控式气体控制闸之输入与排出气体的方向。10.如申请专利范围第1项之刷洗装置,其中该刷洗装置系应用于一显影制程,来将该显影制程中流至半导体晶片之晶背的化学液加以洗净去除。11.一种刷洗一半导体晶片之晶背的刷洗装置,其包含有:一可旋转的晶片承座,系用来放置该半导体晶片;一刷柄;一刷头模组系设于该刷柄末端,用来对该半导体晶片之晶背喷水并刷洗该半导体晶片之晶背;以及一驱动装置系连接该刷柄,用来驱动该刷柄做往复运动;其中当该晶片承座于转动该半导体晶片时,该刷头模组会对该半导体晶片之晶背喷水,而该驱动装置会带动该刷柄之刷头模组沿该半导体晶片之径向方向刷洗。12.如申请专利范围第11项之刷洗装置,其中该刷头模组包含有:一基座(base);一开口系设于该基座底侧,用来将一水流导入该基座内;一圆柱配件系以可上升与下降的方式设于该基座中间,当该水流流入该基座内,该水流会推动该圆柱配件上升;一中空刷头系设于该圆柱配件上侧;一喷嘴系设于该中空刷头之上,该水流系经过该中空刷头自该喷嘴喷出至该半导体晶片之晶背;以及一叶片系设于该圆柱配件内部,当该水流过该叶片时,该水流会同时转动该叶片及该中空刷头。13.如申请专利范围第11项之刷洗装置,其中该驱动装置包含有:一高压气体源系用来提供一高压气体;一气压缸,其内部设有一活塞将该气压缸隔开为一第一气室与一第二气室;二气体管线分别连接于该第一气室与该第二气室,用来传送该第一气室与该第二气室内之气体;一气体控制闸分别接连于该高压气压源与该气体管线,用来控制该气压缸内之气体的输入与排出,当该气体控制闸将该高压气体输入该第二气室并排出该第一气室内之气体时,该高压气体会推动该活塞往该气压缸之第一气室移动,反之,当该气体控制闸将该高压气体输入该第一气室并排出该第二气室内之气体时,该高压气体会推动该活塞往该气压缸之第二气室移动;以及一控制单元系连接于该气体控制闸,用来依一固定之周期来切换该气体控制闸,以定期改变该气压缸内气体输入与排出的方向;其中该刷柄系穿过该第一气室与该活塞相接,当该活塞会依该周期做周期运动时,该活塞会带动该刷柄之刷头模组来进行往复运动。14.如申请专利范围第13项之刷洗装置,其中该控制单元为一电子回馈式之控制单元,其包含有:二感应器分别设于该气压缸两侧之末端,当该活塞移动至该气压缸之末端时,该感应器会产生一相对应之信号;以及一切换单元分别电连接于该感应器与该气体控制闸,系用来根据该感应器所传来之信号,来切换该气体控制闸输入与排出气体的方向。15.如申请专利范围第13项之刷洗装置,其中该控制单元为一机械回馈式之控制单元,而该气体控制闸为一触控式气体控制闸,其左右侧各有一触控式切换开关,该机械回馈式之控制单元包含有:一H型滑动配件系水平放置于该刷洗装置之内;以及一L型连杆系穿过该第二气室与该活塞相接,其底端设于该H型滑动配件之一开口内,当该活塞移动时,该L型连杆会随该活塞移动以带动该H型滑动配件;其中该触控式气体控制闸设于该H型滑动配件之另一开口内,当该活塞移动至该气压缸的末端时,该H型滑动配件会与该触控式气体控制闸一侧之触控式切换开关相接触,以切换该触控式气体控制间之输入与排出气体的方向。图式简单说明:图一为习知清洗半导体晶片之晶背之清洗装置的示意图。图二为本发明刷洗半导体晶片之刷洗装置的示意图。图三为图二所示之刷头模组的组成元件图。图四为图二所示之刷头模组的剖面示意图。图五为图四所示之刷头模组进行刷洗动作时的剖面示意图。图六为图二所示之驱动装置的示意图。图七为图二所示驱动装置之另一实施例的示意图。
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