| 主权项 |
1.一种双重镶嵌结构之制造方法,该方法包括:提供一基底;于该基底上依序形成一保护层、一第一介电层、一蚀刻中止层、一第二介电层、一顶盖层、一底层防反射涂布层与一旋涂式介电层;定义该旋涂式介电层、该底层防反射涂布层、该顶盖层与该第二介电层以于该顶盖层与该第二介电层中形成一孔洞,于该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层中形成一第一沟渠;以该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层为罩幕,移除该孔洞与该第一沟渠所暴露之该蚀刻中止层与该顶盖层;以该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层为罩幕,移除该孔洞与该第一沟渠所暴露之该第一介电层与该第二介电层;以该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层为罩幕,移除该孔洞所暴露之该保护层以形成暴露该基底之一介层窗开口,以及移除该第一沟渠所暴露之该蚀刻中止层以形成暴露该第一介电层之一第二沟渠;移除该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层;以及依序于该第二沟渠与该介层窗开口内形成一共形的阻障层以及一导体层,该导体层填满该第二沟渠与该介层窗开口。2.如申请专利范围第1项所述之双电镶嵌结构之制造方法,其中于该顶盖层与该第二介电层中形成该孔洞,于该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层中形成该第一沟渠之步骤包括;于该旋涂式介电层上形成一图案化第一光阻层,用以定义该孔洞的位置;以该图案化第一光阻层为罩幕,移除部分该旋涂式介电层以形成暴露该底层防反射涂布层之一第一开口;移除该图案化第一光阻层;于该基底上形成一图案化第二光阻层,用以定义该第一沟渠的位置;以该图案化第二光阻层为罩幕,移除部分该底层防反射涂布层与该顶盖层以暴露该第二介电层;以该图案化第二光阻层为罩幕,移除该第一开口所暴露之该第二介电层以于该第二介电层中形成该孔洞,以及移除部分该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层,以于该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层中形成该第一沟渠;以及移除该图案化第二光阻层。3.如申请专利范围第1项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中于该顶盖层与该第二介电层中形成该孔洞,于该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层中形成该第一沟渠之步骤包括:于该旋涂式介电层上形成一图案化第一光阻层,用以定义该第一沟渠的位置;以该图案化第一光阻层为罩幕,移除部分该旋涂式介电层以形成暴露该底层防反射涂布层之一第一开口;移除该图案化第一光阻层;于该基底上形成一图案化第二光阻层,用以定义该孔洞的位置;以该图案化第二光阻层为罩幕,移除部分该底层防反射涂布层与该顶盖层以形成暴露该第二介电层之一第二开口;移除该图案化第二光阻层;以及以该旋涂式介电层为罩幕,移除该第二开口所暴露之该第二介电层以于该第二介电层中形成该介层窗开口图案,以及移除该第一开口所暴露之该底层防反射涂布层以于该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层中形成该第一沟渠。4.如申请专利范围第1项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该底层防反射涂布层之材质系选自聚醯亚胺与I-Line光阻所组之族群之其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该旋涂式介电层之材质系选自旋涂式玻璃与含矽高分子所组之族群之其中之一。6.如申请专利范围第3项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中合矽高分子之矽含量为15%至40%左右。7.如申请专利范围第1项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该旋涂式介电层之厚度为700埃至1600埃左右。8.如申请专利范围第1项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中形成该底层防反射涂布层之方法包括旋转涂布法。9.如申请专利范围第1项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该底层防反射涂布层之厚度为大于1300埃左右。10.如申请专利范围第1项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该保护层、该蚀刻中止层与该顶盖层之材质包括氮化矽。11.如申请专利范围第1项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该第一介电层与该第二介电层之材质系选自氟矽玻璃、未掺杂矽玻璃、聚亚芳香基醚、氟化聚亚芳香基醚与氢化矽倍半氧化物所组之族群之其中之一。12.一种双重镶嵌结构之制造方法,该方法包括:提供一基底,该基底具有一导线;于该基底上依序形成一第一介电层、一第二介电层与一底层防反射涂布层与一旋涂式介电层;定义该旋涂式介电层、该底层防反射涂布层与该第二介电层,以于该第二介电层中形成一第一开口,于该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层中形成一第二开口;以该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层为罩幕,移除该第一开口所暴露之该第一介电层,以形成暴露该基底之一介层窗开口与移除该第二开口所暴露之该第二介电层,以形成暴露该第一介电层之一沟渠;移除该旋涂式介电层与该底层防反射涂布层;以及依序于该沟渠与该介层窗开口内形成一共形的阻障层以及一导体层,该导体层填满该沟渠与该介层窗开口13.如申请专利范围第12项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该底层防反射涂布层之材质系选自聚醯亚胺与I-Line光阻所组之族群之其中之一。14.如申请专利范围第12项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该旋涂式介电层之材质系选自旋涂式玻璃与含矽高分子所组之族群之其中之一。15.如申请专利范围第14项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中含矽高分子之矽含量为15%至40%左右。16.如申请专利范围第12项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该旋涂式介电层之厚度为700埃至1600埃左右。17.如申请专利范围第11项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中形成该底层防反射涂布层之方法包括旋转涂布法。18.如申请专利范围第11项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该底层防反射涂布层二厚度为大于l300埃左右。19.如申请专利范围第11项所述之双重镶嵌结构之制造方法,其中该第一介电层与该第二介电层之材质系选自氟矽玻璃、未掺杂矽玻璃、聚亚芳香基醚、氟化聚亚芳香基醚与氢化矽倍半氧化物所组之族群之其中之一。图式简单说明:第1A图至第1H图为揭示本发明第一实施例一种双重镶嵌结构之制造流程剖面图。第2A图至第2H图为揭示本发明第二实施例一种双重镶嵌结构之制造流程剖面图。 |
