| 主权项 |
1.一种使用具有预定图案构造之模在一基板上形成微图案的方法,包含下列步骤:a)制成一具有凹部及凸部之预定图案构造的模;b)在该基板上沉积一聚合物材料;c)使该模的凸部接触该聚合物材料;d)使接触该模之凸部的聚合物材料利用毛细管力来并入该凹部的空隙中,而移除与该模之凸部接触的聚合物材料;及e)将该模卸除使该基板的部份顶面曝露,而在该基板上形成一聚合物微图案。2.如申请专利范围第1项之方法,更包含下列步骤:c1)在步骤c)之后,但在步骤d)之前,以一预定温度范围来对该聚合物材料进行热处理。3.如申请专利范围第1项之方法,更包含下列步骤:b1)在步骤b)之后,但在步骤c)之前,将一流动化材料渗入该聚合物材料中,俾使该聚合物材料具有流动性。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该模系为一聚合物模。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该模系为一无机物模。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该聚合物材料系被以旋涂技术覆设在该基板上。7.如申请专利范围第1项之方法,更包含下列步骤:f)在该基板顶面的曝露部份上沉积一薄膜层;及g)除掉该聚合物微图案而形成一所需的薄膜微图案。8.如申请专利范围第3项之方法,其中该步骤b1)乃包含将该流动化材料加热以加速其蒸发,俾促进该流动化材料渗入该聚合物材料中。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该聚合物微图案系被以一溶剂来除去。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该基板系由选自下列组群之材料所制成:导电膜、绝缘膜、半导体膜、或有机物膜。11.如申请专利范围第8项之方法,其中该聚合物材料系为酚醛树脂,而该流动化材料系为丙烯二醇单乙醚乙酸酯(PGMEA)。12.一种使用具有预定图案构造之模在一基板上形成微图案的方法,包含下列步骤:a)制成一具有凹部及凸部之预定图案构造的模;b)在该基板上沉积一薄膜层;c)在该薄膜层的整个表面上形成一聚合物材料;d)使该模的凸部接触该聚合物材料;e)使接触该模之凸部的聚合物材料利用毛细管力来并入该凹部的空隙中,而移除与该模之凸部接触的聚合物材料,以形成一预定形状的聚合物图案;f)利用该聚合物图案作为罩幕来蚀刻该薄膜层,而选择性地除掉部份的薄膜层;及g)除掉该聚合物图案而形成一所需的薄膜微图案。13.如申请专利范围第12项之方法,更包含下列步骤:h)在步骤d)之后,但在步骤e)之前,以一预定温度范围来对该聚合物材料进行热处理。14.如申请专利范围第12项之方法,更包含下列步骤:h)在步骤c)之后,但在步骤d)之前,于该模接触聚合物材料之前,将一流动化材料渗入该聚合物材料中,俾使该聚合物材料具有流动性。15.如申请专利范围第12项之方法,其中该模系为一聚合物模。16.如申请专利范围第12项之方法,其中该模系为一无机物模。17.如申请专利范围第12项之方法,其中该聚合物材料系被以旋涂技术覆设在该基板上。18.如申请专利范围第12项之方法,其中该聚合物图案系被以一溶剂来除去。19.如申请专利范围第12项之方法,其中该基板系由选自下列组群之材料所制成:导电膜、绝缘膜、半导体膜、或有机物膜。20.如申请专利范围第13项之方法,其中有部份的聚合物材料会经由该热处理被并入该模的空隙中,而使剩余的部份聚合物材料残留在该薄膜层顶面上。21.如申请专利范围第14项之方法,其中步骤h)乃包括将该流动化材料加热以加速其蒸发,俾促进该流动化材料渗入聚合物材料中。22.如申请专利范围第17项之方法,其中该聚合物材料系为酚醛树脂,而该流动化材料系为PGMEA。23.如申请专利范围第20项之方法,其中残留在该薄膜层顶面上之剩余部份的聚合物材料,会被以一蚀刻处理来除掉。图式简单说明:第1A至1I图乃示出本发明第一较佳实施例之利用毛细管力在一基板上形成薄膜微图案的方法之连接步骤;第2A至2F图乃示出本发明第二较佳实施例之利用毛细管力在一基板上形成薄膜微图案的方法之连接步骤;及第3图系为一示意图,示出在一密闭容器内有一流动化材料渗入一基材上的聚合物材料中,以使该聚合物材料获具流动性的状况,该密闭容器内包含一装有流动性材料的液槽。 |
