发明名称 晶圆运送过程
摘要 一种晶圆运送过程,用以运送一晶圆,晶圆具有一主动表面及至少一焊垫,焊垫系配置在晶圆之主动表面上,而焊垫的材质系为铜,在运送完晶圆后,会进行一凸块制程,以形成至少一凸块到晶圆之主动表面上,凸块至少包括一焊块、一融合层及一黏着层,而黏着层位在晶圆之主动表面上,融合层位在黏着层上,焊块位在融合层上,其中黏着层的材质可以是镍、铬、钛、钛钨合金或氮化钛等。而晶圆运送过程首先系在一晶圆厂中,至少形成黏着层到晶圆之主动表面上,然后再将晶圆运送到一凸块厂中。
申请公布号 TW510012 申请公布日期 2002.11.11
申请号 TW090133094 申请日期 2001.12.31
申请人 米辑科技股份有限公司 发明人 周健康;李进源
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种晶圆运送过程,用以运送一晶圆,该晶圆具有一主动表面及至少一焊垫,该焊垫系配置在该晶圆之该主动表面上,而该焊垫的材质系为铜,在运送完该晶圆后,会进行一凸块制程,以形成至少一凸块到该晶圆之该主动表面上,该凸块至少包括一焊块、一融合层及一黏着层,而该黏着层位在该晶圆之该主动表面上,该融合层位在该黏着层上,该焊块位在该融合层上,其中该黏着层的材质系选自于由镍、铬、钛、钛钨合金及氮化钛所组成的族群中之一种材质,而该晶圆运送过程包括:在一晶圆厂中,至少形成该黏着层到该晶圆之该主动表面上;以及将该晶圆运送到一凸块厂中。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆运送过程,其中系以溅镀的方式,形成该黏着层到该晶圆之该主动表面上。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆运送过程,其中在该晶圆厂中,形成至少该黏着层到该晶圆之该主动表面上之后,还在该晶圆厂中,形成该融合层到该黏着层上。4.如申请专利范围第3项所述之晶圆运送过程,其中系以溅镀的方式,形成该融合层到该黏着层上。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆运送过程,其中在将该晶圆运送到该凸块厂时,该晶圆会暴露到易使该焊垫氧化的环境中。6.一种晶圆运送过程,用以运送一晶圆,该晶圆具有一主动表面及至少一焊垫,该焊垫系配置在该晶圆之该主动表面上,而该焊垫的材质系为铜,在运送完该晶圆后,会进行一凸块制程,以形成至少一凸块到该晶圆上,该凸块至少包括一焊块及一黏着层,而该黏着层位在该晶圆上,该焊块位在该黏着层上,而该晶圆运送过程包括:在一晶圆厂中,至少形成该黏着层到该晶圆上;以及将该晶圆运送到一凸块厂中。7.如申请专利范围第6项所述之晶圆运送过程,其中系以溅镀的方式,形成该黏着层到该晶圆之该主动表面上。8.如申请专利范围第6项所述之晶圆运送过程,其中在该晶圆厂中,形成至少该黏着层到该晶圆之该主动表面上之后,还在该晶圆厂中,形成该融合层到该黏着层上。9.如申请专利范围第8项所述之晶圆运送过程,其中系以溅镀的方式,形成该融合层到该黏着层上。10.如申请专利范围第6项所述之晶圆运送过程,其中该黏着层的材质系选自于由镍、铬、钛、钛钨合金及氮化钛所组成的族群中之一种材质。11.一种晶圆运送过程,用以运送一晶圆,该晶圆具有一主动表面及至少一焊垫,该焊垫系配置在该晶圆之该主动表面上,而该焊垫的材质系为铜,在运送完该晶圆后,会进行一凸块制程,以形成至少一凸块到该晶圆上,该凸块至少包括一焊块及复数个金属层,而该些金属层位在该晶圆上,该焊块位在该些金属层上,而该晶圆运送过程包括:在一晶圆厂中,至少形成该些金属层到该晶圆上,其中位在表层的该金属层系为不易与空气发生氧化反应之材质;以及将该晶圆运送到一凸块厂中。图式简单说明:第1图到第6图绘示习知以铜制程制作之晶圆运送过程。第7图至第10图绘示依照本发明一较佳实施例以铜制程制作之晶圆运送过程。
地址 新竹科学园区研发一路二十一号