| 主权项 |
1.一种嵌段共聚物,其包含至少三种嵌段且其含有 至少一种硬质嵌段及至少一种软质嵌段,其具有下 列嵌段结构 A1-(Bi-Ai)n; B1-(Ai-Bi)n; (Ai-Bi)n; 其中 A代表一硬质嵌段,B代表一软质嵌段; n≧1,且宜代表1,2,3或4,且 i代表1及n间之整数(1≦i≦n),以总聚合物计,硬质嵌 段之比例为65至97重量%且软质嵌段之比例为3至35 重量%,其中硬质嵌段含有至少65重量%之式(I)循环 单位 其中 R1及R2各自独立为氢或C1-C6烷基, R3代表氢或C1-C6烷基或包含一种含环之伸烷基, p代表0或1到5之整数, 且该软质嵌段包含 99-50重量%以直链或分支C2-C10伸烷基为基质之循环 单位,及 1-50重量%式(I)循环单位。2.如申请专利范围第1项 之嵌段共聚物,其中该硬质嵌段含有至少70重量%之 式(I)循环单位。3.如申请专利范围第1项之嵌段共 聚物,其中该硬质嵌段含有至少75重量%之式(I)循环 单位。4.如申请专利范围第1项之嵌段共聚物,其中 该硬质嵌段含有至少80重量%之式(I)循环单位。5. 如申请专利范围第1项之嵌段共聚物,其中该硬质 嵌段含有至少84重量%之式(I)循环单位。6.如申请 专利范围第1至5项中任一项之嵌段共聚物,其中该 软质嵌段含有95至70重量%以直链或分支C2-C10伸烷 基为基质之循环单位,及5至30重量%之式(I)循环单 位。7.一种制备申请专利范围第1至6项中任一项之 嵌段共聚物的方法,其中硬质嵌段所需之式(II)芳 族乙烯基单体,软质嵌段所需之式(III)共轭二烯类 及式(II)芳族乙烯基单体 其中 R1,R2,R3及p具前述定义,且 R4至R7,各自独立为氢或C1-C4烷基, 在一续存的聚合反应中进行作用而形成一预聚合 物且该预聚合物之碳-碳双键随即在匀催化剂或不 匀催化剂存在之下氢化。8.一种预聚合物,其包含 至少三种嵌段且其含有至少一种硬质嵌段及至少 一种软质嵌段, 其中,该硬质嵌段含有至少65重量%之式(IV)循环单 位, 其中 R1,R2,R3及p具前述定义, 且该软质嵌段含有 99-50重量%以直链或分支含有2至10个碳原子之脂族 烃链为基质之循环单位,及 1-50重量%之式(IV)循环单位。9.如申请专利范围第8 项之预聚合物,系用于制备如申请专利范围第1项 之嵌段共聚物。10.如申请专利范围第1项之嵌段共 聚物,系用于制造模制物。11.如申请专利范围第1 项之嵌段共聚物,系用于光学数据储存介质之制造 。12.如申请专利范围第8项之预聚合物,其中烃链 为烯属。13.如申请专利范围第8项之预聚合物,其 中烃链为未取代的或经C1-C4烯基取代。 |
