| 摘要 |
<p>본 발명은 수평 이송 효율이 향상되도록 부유확산영역 및 그 외 다른 영역이 형성될 부위의 일부영역의 BCCD 농도를 연속적으로 높여 전위의 변화가 큰 고체촬상소자의 최종단을 형성하기 위한 고체촬상소자의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 도전형 기판내에 제 2 도전형 웰을 형성하는 단계;상기 제 2 도전형 웰 영역의 표면내에 제 1 도전형 불순물을 주입하여 BCCD 영역을 형성하는 단계;상기 BCCD 영역의 최종단의 제 1 영역 및 제 1 영역에 인접하는 제 2 영역을 제외한 부분에 제 2 도전형 불순물을 주입하는 단계;상기 BCCD 영역상에 전송 게이트들이 위치되고, 출력 게이트가 마지막 전송 게이트에 이웃하여 상기 제 1 영역에 일부가 오버랩되고, 리셋 게이트가 제 2 영역에 이웃한 영역상에 위치되도록 형성하는 단계;상기 제 2 영역의 BCCD의 표면내에 부유 확산 영역을, 리셋 게이트의 타측에 리셋 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
