| 发明名称 |
COMBINED CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND REACTIVE ION ETCHING PROCESS |
| 摘要 |
<p>반도체 기판의 표면을 평탄화하는 처리가 제공된다. 상기 처리는 반도체 기판의 표면상에 패터닝된 돌출 영역과 리세스 영역을 형성함으로써 시작된다. 재료층은 그 다음 패터닝된 돌출 영역과 리세스 영역 위에 형성된다. 이 재료층은 돌출 영역 모두가 그 재료층으로부터 적어도 부분적으로 제거될 때까지 화학 기계적 평탄화(CMP: chemical mechanical planarizing) 처리된다. 최종적으로, 연마된 기판의 표면은 반응성 이온 에칭(RIE: reactive ion etching) 처리로 에칭된다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100359552(B1) |
申请公布日期 |
2002.11.07 |
| 申请号 |
KR19990038259 |
申请日期 |
1999.09.09 |
| 申请人 |
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 |
发明人 |
페렌스토마스지;랜더스윌리엄에프;맥도널드마이클제이;믈린코월터이;머레이마크피;피터슨커크디 |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/321;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
