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<p>Verfahren zum Erzeugen einer metallischen oder metallhaltigen Schicht (5) unter Verwendung eines Präkursors auf einer silizium- oder germaniumhaltigen Schicht insbesondere eines elektronischen Bauelements, bei dem auf die silizium- oder germanium-haltige Schicht (3) vor der Verwendung des Präkursors eine Zwischenschicht (4) aufgebracht wird, die zumindest für die Elemente des Präkursors, die die silizium- oder germaniumhaltige Schicht ätzen würden, eine Diffusionsbarriere bildet und selbst gegenüber dem Praäkursor ätzresistent ist.</p> |
