| 摘要 |
<p>본 발명은 로직 영역과 셀 영역에 동일 구조의 코발트 실리사이드 구조의 게이트 전극을 형성할 수 있도록한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1,2 영역을 포함하는 반도체 기판상에 폴리 패턴층들을 형성하는 공정;전면에 제 1 절연층을 형성하고 상기 제 1 절연층과 식각 선택성을 갖는 제 2 절연층을 상기 폴리 패턴층들 사이를 충분히 매립할 수 있는 두께로 형성하는 단계;상기 제 1 절연층을 이용하여 제 2 절연층을 평탄화하여 폴리 패턴층상의 제 1 절연층을 노출시키는 단계;상기 제 2 절연층을 이용하여 노출된 제 1 절연층을 제거하고 전면에 코발트층을 형성하는 단계;열처리 공정으로 폴리 패턴층의 Si와 Co를 반응시켜 코발트 실리사이드층을 형성하여 폴리사이드 구조의 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 제 2 절연층을 제거하고 상기 제 1 영역상에 감광막 패턴층을 형성하고 제 2 영역의 잔류된 제 1 절연층을 에치백하여 측벽을 형성하는 단계;감광막 패턴층을 제거하고 게이트 이온 주입 및 소오스/드레인 영역을 형성하기 위한 이온 주입을 하는 단계;상기 제 2 영역의 소오스/드레인 영역 표면에 코발트 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
