一种叠层栅快闪存储单元及其制造方法

摘要

本发明为一种叠层栅快闪存储单元及其制造方法,它包含一U－型浮置栅,一控制栅,及两者间的一内多晶硅氧化三明治层。叠层栅闪存储单元的制造步骤为:在硅基底沉积穿遂氧化层与第一多晶硅层,离子注入第一多晶硅层,经后续沉积氧化层、沉积氮化物层、蚀刻平板印刷工艺(微影制程),进行蚀刻、化学机械研磨平坦化与回蚀,形成第一多晶叠层结构,第二多晶硅层和多晶硅间隙壁,及第三多晶硅层和控制栅。

主权项

1.一种叠层栅快闪存储单元制造方法，其特征是：包括下列步骤：(a)在一硅基底上沉积一穿遂氧化层与一第一多晶硅层，然后离子注入该第一多晶硅层；(b)在该第一多晶硅层上沉积一第一氧化层，然后再沉积一氮化物层，接着对该第一多晶硅层进行微影制程，以形成一第一多晶硅叠层结构；(c)对该硅基底进行蚀刻，以在该硅基底中至少产生一浅沟渠，接着沉积一第二氧化层以填满该浅沟渠；(d)进行化学机械研磨平坦化与回蚀氧化层，以去除超出该浅沟渠部分的该第二氧化层；(e)沉积一第二多晶硅层，然后离子注入该第二多晶硅层，并蚀刻该第二多晶硅层，用以在该第一多晶硅叠层结构的侧壁上形成一第二多晶硅间隙壁；(f)以湿蚀刻去除该氮化物层，接着以湿浸泡去除在该第一多晶硅层顶部的该第一氧化层，其中，该第二多晶硅间隙壁与该第一多晶硅层形成一U-型三度空间浮置栅；以及(g)沉积一内多晶硅介电膜与一第三多晶硅层，接着对该第三多晶硅层进行蚀刻平板印刷工艺，用以从该第三多晶硅层中形成一控制栅；(h)其中该内多晶硅介电膜与该控制栅配合该浮置栅的U-型三度空间轮廓，因此可增大在该控制栅与该浮置栅之间的面积交叠部分。