干法制备硫化亚铜薄膜方法

摘要

一种光电材料制备工艺领域的干法制备硫化亚铜薄膜的方法，其步骤为：①选用普遍平板玻璃作为衬底材料，并清洗干净、烘烤；②在衬底玻璃上蒸镀薄膜；③将制备的薄膜硫化。采用本方法制备的硫化亚铜薄膜质地均匀，性能稳定。

主权项

1.干法制备硫化亚铜薄膜方法，其特征在于：①首先选用普通平板玻璃作为衬底材料，并用玻璃清洗剂清洗干净，晾干后放入加热炉中烘烤，烘烤温度300℃～400℃，时间0.5～2小时；②将烘烤过的玻璃放入真空室中，真空度为1×10-2帕，用普遍的热蒸发方法，蒸镀厚度为200nm的铜薄膜；③最后将铜薄膜放入硫化炉中进行硫化，硫化炉内温度为480～540℃，时间为3～8分钟。