| 发明名称 | 化合物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 一种具有高抗浪涌能力和高可靠性的半导体发光二极管，其结构包括形成在发光元件的阳极和阴极之间的附加电容。具体地，在兰宝石衬底上有n型GaN半导体层、GaN基半导体有源层、和p型GaN基半导体层的LED中，阴极形成在n型GaN半导体层上，并且电极布线从p型GaN基半导体层的顶部延伸以形成电容。 | ||
| 申请公布号 | CN1093988C | 申请公布日期 | 2002.11.06 |
| 申请号 | CN97118235.3 | 申请日期 | 1997.09.09 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 石川正行;新田康一 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/32 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种化合物半导体发光器件，包括：具有第一接触区和第二接触区、与所述第一接触区连接的第一电极、与所述第二接触区连接的第二电极、和在所述第一电极与所述第二电极重叠的区域用来分隔所述第一电极和所述第二电极的绝缘层的化合物半导体发光元件；由所述绝缘层、所述第一电极和所述第二电极构成的电容元件，其中，所述化合物半导体发光元件包括InxAlyGa(1-x-y)N层(0≤x≤1，0≤y≤1)。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||