化合物半导体开关电路装置

摘要

在以往的化合物半导体开关电路装置中,为了尽可能减少插入损耗,而采用了增大栅极宽度Wg,降低FET的导通电阻的设计方法。另外,还采用了在栅极宽度为600微米下得到规定的绝缘的方法。但是,以缩短芯片尺寸为目的,将栅极宽度设为400微米时,存在输出功率不足的问题。本发明着眼于在2.4GHz以上的高频带下省略分流FET并确保绝缘的设计,并进一步具有发送侧FET和接收侧FET杂质浓度不同的沟道区域的非对称型电路。由此,将栅极宽度降低至400微米,使栅极的电容成分减少,实现可在两个信号路径之间得到规定的绝缘,且输出必要最大功率的电路。

主权项

1.一种化合物半导体开关电路装置中，形成在沟道区域表面上设置源极、栅极和漏极的第一和第二FET，将两个FET的源极或漏极作为共享输入端子，将两个FET的漏极或源极作为第一和第二输出端子，向两个FET的栅极上施加控制信号，使任一方的FET导通，由所述共享输入端子和所述第一和第二输出端子的任一方形成信号路径，其特征在于：将所述FET的栅极宽度设定为400微米以下，并且，将一方的所述FET的Idss设定得比另一方的FET的Idss大。