| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提出一种能够以低阻抗将作为主开关器件的FET(场效应晶体管)的栅源电容短路的半导体器件。上述半导体器件包括第一FET、第二FET以及一个封壳。第一FET和第二FET都装在封壳内。第一FET构成主开关器件。第二FET的漏极和源极连接到第一FET的栅极和源极。封壳的外表面具有第一和第二FET的外部端子。 | ||
| 申请公布号 | CN1378285A | 申请公布日期 | 2002.11.06 |
| 申请号 | CN02108203.0 | 申请日期 | 2002.03.22 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 广川正彦;松浦研;高木雅和 |
| 分类号 | H01L25/07;H01L29/786;H02M7/217 | 主分类号 | H01L25/07 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，它包括：包括主开关的第一场效应晶体管；第二场效应晶体管，其漏极和源极连接到所述第一场效应晶体管的栅极和源极；以及其外表面带有外部端子的封壳，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管设置在该封壳里面。其中，所述外部端子与所述第一和第二场效应晶体管的漏极、源极或栅极连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||