| 主权项 |
1.一种发光二极体结构,至少包括:一基板,该基板之一面上具有一布拉格反射镜层,且该基板的另一面上具有一背面电极;一第一型离子掺杂局限层,该第一型离子掺杂局限层位于该布拉格反射镜层上;一活性层,该活性层位于该第一型离子掺杂局限层上;一第二型离子掺杂局限层,该第二型离子掺杂局限层位于该活性层上;一电流分散层,该电流分散层位于该第二型离子掺杂局限层上;以及一网状正面电极,该网状正面电极位于该电流分散层上,且该网状正面电极包括一焊垫部分及一网状脉络部分。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该基板系为砷化镓基板。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该第一型掺杂局限层之材质系为n型掺杂之磷化铝铟镓材质。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该第二型掺杂局限层之材质系为p型掺杂之磷化铝铟镓材质。5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该活性层之材质系选自于末掺杂之磷化铝铟镓与此材质所形成之量子井结构等所组成之族群。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该电流分散层之材质系选自于砷化铝镓与磷化镓等所组成之族群。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该电流分散层之较佳厚度约为1微米。8.一种发光二极体结构,至少包括:一基板,该基板之一面上具有一布拉格反射镜层,且该基板的另一面上具有一背面电极;一第一型离子掺杂局限层,该第一型离子掺杂局限层位于该布拉格反射镜层上;一活性层,该活性层位于该第一型离子掺杂局限层上;一第二型离子掺杂局限层,该第二型离子掺杂局限层位于该活性层上;以及一网状正面电极,该网状正面电极位于该电流分散层上,且该网状正面电极包括一焊垫部分及一网状脉络部分。9.如申请专利范围第8项所述之发光二极体结构,其中该基板系为砷化镓基板。10.如申请专利范围第8项所述之发光二极体结构,其中该第一型掺杂局限层之材质系为n型掺杂之磷化铝铟镓材质。11.如申请专利范围第8项所述之发光二极体结构,其中该第二型掺杂局限层之材质系为p型掺杂之磷化铝铟镓材质。12.如申请专利范围第8项所述之发光二极体结构,其中该活性层之材质系选自于末掺杂之磷化铝铟镓与此材质所形成之量子井结构等所组成之族群。13.如申请专利范围第8项所述之发光二极体结构,其中该电流分散层之材质系选自于砷化铝镓与磷化镓等所组成之族群。14.一种发光二极体结构,至少包括:一基板,该基板之一面上具有一布拉格反射镜层,且该基板的另一面上具有一背面电极;一第一型离子掺杂局限层,该第一型离子掺杂局限层位于该布拉格反射镜层上;一活性层,该活性层位于该第一型离子掺杂局限层上;一第二型离子掺杂局限层,该第二型离子掺杂局限层位于该活性层上;一电流分散层,该电流分散层位于该第二型离子掺杂局限层上;以及一网状正面电极,该网状正面电极位于该电流分散层上,且该网状正面电极包括一焊垫部分及一网状脉络部分,其中,该网状脉络部分具有一第一宽度之线宽,且该些网状脉络部分以一第二宽度相间隔。15.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构,其中该基板系为砷化镓基板。16.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构,其中该第一型掺杂局限层之材质系为n型掺杂之磷化铝铟镓材质。17.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构,其中该第二型掺杂局限层之材质系为p型掺杂之磷化铝铟镓材质。18.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构,其中该活性层之材质系选自于末掺杂之磷化铝铟镓与此材质所形成之量子井结构等所组成之族群。19.如申请专利范围第8项所述之发光二极体结构,其中该电流分散层之材质系选自于砷化铝镓与磷化镓等所组成之族群。20.如申请专利范围第8项所述之发光二极体结构,其中该第一宽度较佳为1微米,而该第二宽度较佳为8微米。图式简单说明:第1图绘示为习知发光二极体结构之剖面示意图;第2图绘示为习知发光二极体中具有电流分散层结构之剖面示意图;第3图绘示为依照本发明一较佳实施例中发光二极体结构之剖面示意图;第4图绘示为依照本发明一较佳实施例中网状正面电极所采用的光罩示意图;第5图绘示为习知第2图之结构中,其光输出相对强度与电流分散层厚度(t)之关系图;第6图绘示为依照本发明一较佳实施例中针对不同金属间隙(w)、不同电流分散层厚度(t)与光输出相对强度之关系图;以及第7图绘示为依照本发明一较佳实施例之二极体结构在每一单位方格内的电流分布模拟结果。 |
