| 主权项 |
1.一种叠层陶瓷电容器,其特征为将复数的介电体层和复数的内部电极进行交互叠层,形成与该复数之内部电极连接之一对外部电极,该介电体层系包含介电体磁器,而该介电体磁器系包含陶磁粒子和与该陶磁粒子连接之玻璃,而在该玻璃中包含由Mn、V、Cr、Mo、Fe、Ni、Cu以及Co中选出之一或二种以上的添加物元素。2.如申请专利范围第1项之叠层陶瓷电容器,其中上述介电体磁器包含之上述添加物元素为0.01-1.0摩尔%。3.如申请专利范围第1项之叠层陶瓷电容器,其中上述玻璃系在陶磁粒子间之粒界部覆盖陶磁粒子。4.如申请专利范围第3项之叠层陶瓷电容器,其中在包含于上述介电体磁器之上述添加物元素中,机器分析値为20wt%以上者系存在于上述粒界部。5.如申请专利范围第2项之叠层陶瓷电容器,其中上述添加物元素固溶于上述粒界部之上述玻璃中。6.如申请专利范围第1-5项中任一项之叠层陶瓷电容器,其中上述介电体层系由钛酸钡系介电体磁器或钛酸锶系之介电体磁器所形成。7.如申请专利范围第1-5项中任一项之叠层陶瓷电容器,其中上述介电体磁器中包含由Sc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Tm及Lu中选出之一或二种以上之稀土类元素。8.如申请专利范围第7项之叠层陶瓷电容器,其中上述玻璃中包含固溶之上述稀土类元素,该稀土类元素为2.0摩尔%以下。9.如申请专利范围第1-5项中任一项之叠层陶瓷电容器,其中上述玻璃系包含以Li2O-SiO2-MO或B2O3-SiO2-MO为主成份者(但MO为从BaO、SrO、CaO、MgO及ZnO中所选出的一或两种以上的金属氧化物)。10.如申请专利范围第1-5项中任一项之叠层陶瓷电容器,其中上述玻璃中包含结晶质之二次相。11.如申请专利范围第1项之叠层陶瓷电容器,其中上述玻璃系包含具耐还原性之组成物,内部电极包含卑金属。12.一种叠层陶瓷电容器之制造方法,其中包含:原料制备工序,其系用来准备陶磁原料;板形成工序,其系使用上述陶磁原料形成陶磁生板;印刷工序,其系利用上述板形成工序在上述陶磁生板上印刷内部电极图案;积层工序,其系将经上述印刷工程处理之陶磁生板进行积层之积层体;切割工序,其系将上述积层工序形成之积层体按每个内部电极图案,切割为晶片状之积层体;及烧成工序,其系将在上述切割工序形成之晶片状积层体进行烧成,上述陶磁原料包含玻璃,而上述玻璃系包含由Mn、V、Cr、Mo、Fe、Ni、Cu以及Co中选出之一或二种以上的添加元素。13.如申请专利范围第12项之叠层陶瓷电容器制造方法,其中上述陶磁原料中所含之上述添加物元素为0.01-1.0摩尔%。14.如申请专利范围第12项之叠层陶瓷电容器制造方法,其中上述陶磁原料为钛酸钡系之陶磁原料或钛酸锶系之陶磁原料。15.如申请专利范围第12-14项中任一项之叠层陶瓷电容器制造方法,其中上述陶磁原料中包含由Sc、Y、Gd、Dy、Ho、Er、Yb、Tm及Lu中选出之一或二种以上之稀土类元素之化合物。16.如申请专利范围第15项之叠层陶瓷电容器制造方法,其中上述稀土类元素固溶于上述玻璃中,固溶于上述玻璃中之稀土类元素为2.0摩尔%以下。17.如申请专利范围第12项之叠层陶瓷电容器制造方法,其中上述玻璃系包含以Li2O-SiO2-MO或B2O3-SiO2-MO为主成份者(但MO为从BaO、SrO、CaO、MgO、ZnO中选出的一或二种以上的金属氧化物)。18.如申请专利范围第12项之叠层陶瓷电容器制造方法,其中上述烧成工序包含:将上述晶片状积层体在非氧化性气体中进行烧成后,再置于氧化性气体中烧成之再氧化作业。图式简单说明:图1叠层陶瓷电容器之说明图图2本发明之介电体磁器组成物之细微结构说明图 |
