| 主权项 |
1.一种静电夹头,具备由氮化铝形成的介电层,在此介电层上吸附晶圆用;其特征在于:上述介电层的表面有25nm以下的中心线平均表面粗度,且具有覆盖着此介电层的上述表面的由比构成上述介电层的氮化铝更硬质的材料而形成的厚度200nm以上的表面层。2.如申请专利范围第1项所述的静电夹头,其中比上述氮化铝更硬质的材料,系从氧化铝系的陶瓷、含有氧化铝的复合材料、像金刚石的碳以及金刚石所形成的群中选出的材料。3.如申请专利范围第1或2项所述的静电夹头,其中构成上述氮化铝的氮化铝粒子的平均粒径系1-10m。4.一种静电夹头的制造方法,制造具备由氮化铝形成的介电层,而在此介电层上吸附晶圆用的静电夹头;其特征在于:使上述介电层的表面的中心线平均表面粗度为25nm以下后,此介电层的上述表面,由比构成上述介电层的氮化铝更硬质的材料而形成的厚度200nm以上的表面层所覆盖着。5.如申请专利范围第4项所述的静电夹头的制造方法,其中比上述氮化铝更硬质的材料,系从氧化铝系的陶瓷、含有氧化铝的复合材料、像金刚石的碳以及金刚石所形成的群中选出的材料。6.如申请专利范围第4或5项所述的静电夹头的制造方法,其中构成上述氮化铝的氮化铝粒子的平均粒径系1-10m。7.如申请专利范围第4或5项所述的静电夹头的制造方法,其中在形成上述表面层之前,对上述介电层的表面进行惰性气体的逆溅镀。8.如申请专利范围第7项所述的静电夹头的制造方法,其中进行上述惰性气体的逆溅镀时,使上述惰性气体中含有氧气。图式简单说明:第1图系模式地显示将介电层5研磨加工后的状态之剖面图。第2图系模式地显示将介电层5研磨加工、介电层5上形成了表面层3的状态之剖面图。 |
