| 主权项 |
1.一种防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,包括:提供待清洗之一晶圆,该晶圆上已形成有一金属层;将该晶圆置入一第一化学清洗装置中,以一第一化学清洗液清洗该晶圆,并以阴极保护法保护该金属层;洗净该晶圆上之该第一化学清洗液;以及乾燥该晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中提供阴极保护之该第一化学清洗装置包括:一化学清洗槽,内置该第一化学清洗液,而该晶圆系置于该第一化学清洗液中;一隔离槽,内置一电解质溶液,且该隔离槽与该化学清洗槽之间以一盐桥相连;一牺牲阳极,置于该电解质溶液中;以及一电源供应装置,系与该牺牲阳极与该晶圆与电性连接,且该电源供应装置所提供之电压足使该牺牲阳极上产生氧化反应,并提供电子给该晶圆以产生阴极保护效果。3.如申请专利范围第2项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中该牺牲阳极之材质系为铁、铜、铝与石墨其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中该第一化学清洗液包括组成为NH4OH/H2O2/H2O=1:1:5之SC1清洗液。5.如申请专利范围第1项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中在该乾燥该晶圆之步骤之前更包括:将该晶圆置入一第二化学清洗装置中,使用一第二化学清洗液清洗该晶圆以洗去该第一化学清洗液所无法去除之至少一污染物,其中并以阴极保护法保护该金属层;以及洗净该晶圆上之该第二化学清洗液。6.如申请专利范围第5项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中提供阴极保护之该第二化学清洗装置包括:一化学清洗槽,内置该第二化学清洗液,而该晶圆系置于该第二化学清洗液中;一隔离槽,内置一电解质溶液,且该隔离槽与该化学清洗槽之间以一盐桥相连;一牺牲阳极,置于该电解质溶液中;以及一电源供应装置,系与该牺牲阳极与该晶圆与电性连接,且该电源供应装置所提供之电压足使该牺牲阳极上产生氧化反应,并提供电子给该晶圆以产生阴极保护效果。7.如申请专利范围第6项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中该牺牲阳极之材质系为铁、铜、铝与石墨其中之一。8.如申请专利范围第6项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中该第二化学清洗液包括组成为HC1/H2O2/H2O=1:1:6之SC2清洗液。9.如申请专利范围第1项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中在该乾燥该晶圆之步骤之前更包括将该晶圆置入一水洗槽中,以去离子水清洗该晶圆。10.一种防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,包括:提供待清洗之一晶圆,该晶圆上已形成有一金属层;将该晶圆置入一第一化学清洗装置中,以一第一化学清洗液清洗该晶圆,其中并以阴极保护法保护该金属层;洗净该晶圆上之该第一化学清洗液;将该晶圆置入一第二化学清洗装置中,使用一第二化学清洗液清洗该晶圆以除去该第一化学清洗液所无法除去之至少一污染物,其中并以阴极保护法保护该金属层;洗净该晶圆上之该第二化学清洗液;以及乾燥该晶圆。11.如申请专利范围第10项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中在该乾燥该晶圆之步骤之前更包括将该晶圆置入一水洗槽中,以去离子水清洗该晶圆。12.如申请专利范围第10项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中提供阴极保护之该第一化学清洗装置包括:一化学清洗槽,内置该第一化学清洗液,而该晶圆系置于该第一化学清洗液中;一隔离槽,内置一电解质溶液,且该隔离槽与该化学清洗槽之间以一盐桥相连;一牺牲阳极,置于该电解质溶液中;以及一电源供应装置,系与该牺牲阳极与该晶圆与电性连接,且该电源供应装置所提供之电压足使该牺牲阳极上产生氧化反应,并提供电子给该晶圆以产生阴极保护效果。13.如申请专利范围第12项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中该牺牲阳极之材质包括铁、铜、铝与石墨其中之一。14.如申请专利范围第10项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中该第一化学清洗液包括组成为NH4OH/H2O2/H2O=1:1:5之SC1清洗液。15.如申请专利范围第10项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中提供阴极保护之该第二化学清洗装置包括:一化学清洗槽,内置该第二化学清洗液,而该晶圆系置于该第二化学清洗液中;一隔离槽,内置一电解质溶液,且该隔离槽与该化学清洗槽之间以一盐桥相连;一牺牲阳极,置于该电解质溶液中;以及一电源供应装置,系与该牺牲阳极与该晶圆与电性连接,且该电源供应装置所提供之电压足使该牺牲阳极上产生氧化反应,并提供电子给该晶圆以产生阴极保护效果。16.如申请专利范围第15项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中该牺牲阳极之材质系为铁、铜、铝与石墨其中之一。17.如申请专利范围第10项所述之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法,其中该第二化学清洗液包括组成为HC1/H2O2/H2O=1:1:6之SC2清洗液。图式简单说明:第1图所示为本发明较佳实施例之防止金属腐蚀之半导体制程的清洗方法的流程图。第2图所示为本发明较佳实施例中,可防止金属腐蚀之化学清洗装置的示意图。 |
