| 主权项 |
1.一种避免氮分子污染矽离子植入制程的方法,适用于具有气压阀用以控制掺质气体进入离子植入装置,该方法包括下列步骤:提供一半导体晶片,置于离子植入装置中;使用钝气气体用以当作气压阀的驱动气源;使用该气压阀来控制掺质气体进入离子植入装置;以及进行该半导体晶片的离子植入制程。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该离子植入制程系矽离子植入制程。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该掺质气体系SiF4.SiH4或SiCl4。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该掺质气体系SiF4。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该钝气气体系氩气或氦气。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该钝气气体系氩气。图式简单说明:第1图系显示一种典型的离子植入装置示意图。第2图为本发明之实施例示意图。 |
