JMF型晶圆之加热器

摘要

本发明提供一示范性处理基板之装置及方法，确保清洗气体可达到基板边缘，包括JMF型晶圆边缘，以帮助防止不必要的沉降情形产生。一具体例提供了一个处理基板的装置，其包括一腔室以及一置于腔室之基板支撑物(13)。一边缘圆环(15)置于基板支撑物上。边缘圆环有一唇部(30)其至少有一部份悬空突出于基板支撑物之上表面(36)，以定义出一介于唇部与上表面之间隙(29)。在这种作法下，边缘圆环被设计形成一间隙，其可适当引导清洗气体至基板边缘处，包括JMF型基板。

主权项

1.一种处理基板之装置,包含:一腔室;一置于该腔室中之基板支撑物,该基板支撑物具有一上表面;以及一置于该基板支撑物上之边缘圆环,该边缘圆环具一唇部,其至少一部份悬空突出于基板支撑物上表面,以定义出一介于该唇部与该上表面之间隙。2.如申请专利范围第1项所述之装置,更进一步包含一清洗气体系统,与该间隙相连结,以透过该间隙及该唇部下方传送清洗气体。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该唇部通常具有一大致扁平内侧边缘,用于与基板外围密合。4.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该基板为JMF型基板。5.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该边缘圆环由氮化铝组成。6.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该边缘圆环由陶瓷组成。7.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该基板支撑物由陶瓷组成。8.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该基板支撑物成分含铝。9.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该唇部自该上表面延伸超越至该基板支撑物边缘一段指定距离,该距离介于1.5公厘至3.0公厘。10.一种处理基板之装置,包含:一腔室;一置于该腔室中之基板支撑物,该基板支撑物具有一上表面;一置于该基板支撑物上之第一边缘圆环;以及一与该第一边缘圆环配合对准之第二边缘圆环,该第二边缘圆环具一唇部,其至少一部份悬空突出于基板支撑物上表面,以定义出一介于该唇部与该上表面之间隙。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中该第一边缘圆环包含一清洗气体圆环,且该第二边缘圆环包含一遮蔽圆环。12.如申请专利范围第10项所述之装置,更进一步包含一清洗气体系统,与该间隙相连结,以透过该间隙及该唇部下方传送清洗气体。13.如申请专利范围第10项所述之装置,其中该唇部具有一大致扁平内侧边缘,用于与基板外围密合。14.如申请专利范围第10项所述之装置,其中该唇部自该上表面延伸超越至该基板支撑物边缘一段指定距离,该距离介于1.5公厘至3.0公厘。15.一种于腔室中支撑基板之方法,该方法包含:提供一处理基板之装置,该装置包含:一腔室;一置于该腔室中之基板支撑物,该基板支撑物具一上表面;以及一置于该基板支撑物上之边缘圆环,该边缘圆环具一唇部,其至少一部份悬空突出于基板支撑物上表面,以定义出一介于该唇部与该上表面之间隙;将基板置于该支撑物上,该基板具一上表面及一边缘;以及将清洗气体流入由该唇部与该支撑物上表面形成之该间隙中,该清洗气体可灌冲至该基板边缘。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该嘴部具有一大致扁平内侧边缘,用于与基板外围密合。17.如申请专利范围第15项所述之方法更包含将第二边缘圆环置放于该边缘圆环上以定义出该间隙。18.如申请专利范围第15项所述之方法更包含将物质沈降于该基板上表面,该清洗气体注入以大幅预防该物质沈降于该基板边缘。19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该基板之置放更包含以该基板边缘大致扁平部分与该唇部对准排列。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该基板之置放方式更包含以该基板边缘大致扁平坦部分与该唇部内侧边缘对准排列。图式简单说明:第1图系本发明容纳装置之分解透视图;第2图系本发明容纳装置之侧视图;第3图系本发明清洗气体圆环俯视图;第4图系腔室之侧视图,显示本发明容纳装置未经处理前之位置;第5图系本发明遮蔽圆环之俯视图;第6图系腔室之侧视图,显示本发明容纳装置处理后之位置;第7图系本发明另一实施例之分解透视图;第8图系第7图实施例之横截面侧视图。