发明名称 气体放电发光装置及其制造方法
摘要 一种气体放电发光装置,系形成有封入气体介质之放电空间,再利用前述气体介质之放电者;前述气体介质中至少含有水蒸气0.01体积%以上且1体积%以下。再藉如前述般规定水蒸气量,而可大量下降放电电压。
申请公布号 TW508610 申请公布日期 2002.11.01
申请号 TW090101739 申请日期 2001.01.29
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 加道博行;宫下加奈子
分类号 H01J11/02 主分类号 H01J11/02
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种气体放电发光装置,其系形成有一封入气体介质之放电空间,且利用该放电空间内之气体介质之放电者;而前述气体介质系至少含有水蒸气0.01体积%以上且1体积%以下。2.如申请专利范围第1项之气体放电发光装置,其中前述气体介质中含有氦、氖、氙、氩中至少一种之惰性气体。3.如申请专利范围第1或2项之气体放电发光装置,其系至少于放电空间周围具有电极及萤光体,且该萤光体可受伴随前述放电空间内之放电所发生之紫外线或真空紫外线激励而发生可见光。4.如申请专利范围第3项之气体放电发光装置,其中前述电极表面覆盖有介电体。5.如申请专利范围第1或2项之气体放电发光装置,其系使至少于放电空间周围具有萤光体,并由放电空间外部施加电场,使气体介质发生无电极放电,再藉伴随该放电所发生之紫外线或真空紫外线使前述萤光体受激励而发生可见光者。6.如申请专利范围第3项之气体放电发光装置,其系以使乾燥气体接触前述萤光体之状态进行密封者。7.如申请专利范围第4项之气体放电发光装置,其系以使乾燥气体接触前述萤光体之状态进行密封者。8.如申请专利范围第5项之气体放电发光装置,其系以使乾燥气体接触前述萤光体之状态进行密封者。9.一种气体放电发光装置之制造方法,包含有:一密封程序,系将第一基板与配置有萤光体之第二基板以重叠之状态加以密封,使其形成有内部空间,并使该萤光体面临该内部空间者;及一真空排气程序,系将前述内部空间进行排气,使其呈真空状态者;又,在前述真空排气程序之后并包含有一放电气体封入程序,系于前述内部空间中封入已调整水蒸气量之放电气体者。10.如申请专利范围第9项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述放电气体封入程序所封入之放电气体中之水蒸气含量系于充填在内部空间之状态下,调整成0.01体积%以上且1体积%以下者。11.如申请专利范围第10项之气体放电发光装置之制造方法,其中该密封程序系于使乾燥气体接触前述萤光体之状态下进行密封者。12.一种气体放电发光装置之制造方法,包含:一密封程序,系将第一基板与配置有萤光体之第二基板以重叠之状态加以密封,使其形成有内部空间并使该萤光体面临该内部空间者;及,一真空排气程序,系将前述内部空间进行排气,使之呈真空状态者;又于前述密封程序与前述真空排气程序间并包含有一水蒸气导入程序,系,于前述内部空间中事先导入规定量之水蒸气者。13.如申请专利范围第12项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述水蒸气导入程序所导入之水蒸气量系调整为使内部空间内之水蒸气分压于常温下为1.3kPa(10Torr)以上者。14.如申请专利范围第12或13项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述水蒸气导入程序系使气体介质中含有水蒸气,以导入水蒸气者。15.如申请专利范围第12或13项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述水蒸气导入程序系以将气体放电发光装置构成要素加热至100℃以上且350℃以下之状态进行水蒸气之导入者。16.如申请专利范围第14项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述水蒸气导入程序系以将气体放电发光装置构成要素加热至100℃以上且350℃以下之状态进行水蒸气之导入者。17.如申请专利范围第12或13项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述密封程序系以使乾燥气体接触萤光体之状态进行密封。18.如申请专利范围第14项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述密封程序系以使乾燥气体接触萤光体之状态进行密封。19.如申请专利范围第15项之气体放电发光装置之制造方法,其中该密封程序系以使乾燥气体接触萤光体之状态进行密封。20.如申请专利范围第16项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述密封程序,系以使乾燥气体接触萤光体之状态进行密封。21.一种气体放电发光装置之制造方法,包含有:一密封程序,系将第一基板与配置有萤光体之第二基板以重叠之状态加以密封,使其形成有内部空间并使前述萤光体面临该内部空间者;及一真空排气程序,系将前述内部空间进行排气,使其呈真空状态者;又于气体放电发光装置构成要素加热至高峰温度为止后温度下降时并包含有一水蒸气导入程序,系事先导入规定量之水蒸气者于前述内部空间中者。22.如申请专利范围第21项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述水蒸气导入程序中所进行之水蒸气导入系于温度下降至100℃以上且350℃以下时进行者。23.如申请专利范围第21或22项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述于水蒸气导入程序所导入之水蒸气量系调整为使内部空间内之水蒸气分压于常温下为1.3kPa(10Torr)以上者。24.如申请专利范围第21或22项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述水蒸气导入程序系使气体介质中含有水蒸气,以导入水蒸气者。25.如申请专利范围第23项之气体放电发光装置之制造方法,其中前述水蒸气导入程序系使气体介质中含有水蒸气,以导入水蒸气者。26.如申请专利范围第21或22项之气体放电发光装置之制造方法,其中该密封程序至少于加热至高峰温度为止系以使乾燥空气接触萤光体之状态进行密封。27.如申请专利范围第23项之气体放电发光装置之制造方法,其中该密封程序至少于加热至高峰温度为止系以使乾燥空气接触萤光体之状态进行密封。28.如申请专利范围第24项之气体放电发光装置之制造方法,其中该密封程序至少于加热至高峰温度为止系以使乾燥空气接触萤光体之状态进行密封。29.如申请专利范围第25项之气体放电发光装置之制造方法,其中该前述密封程序至少于加热至高峰温度为止系以使乾燥空气接触萤光体之状态进行密封。图式简单说明:第1图为一要部截面图,用以显示实施形态上共通之交流面放电型电浆显示装置之面板部位结构。第2图系一结构方块图,系显示于前述面板中实际装设电路区块之装置者。第3图系用以显示将蓝色萤光体BaMgAl10O17:Eu以450℃焙烧20分钟时,改变空气之水蒸气压力情形下,相对发光强度之水蒸气压力之依存性测定结果者。第4图系用以显示将蓝色萤光体BaMgAl10O17:Eu以450℃焙烧20分钟时,改变空气之水蒸气压力情形下,色度座标y之水蒸气压力依存性之测定结果。第5图系用以显示密封程序中,改变送至面板内之乾燥空气之水蒸气压力而制作时,蓝色萤光体之发光强度及放电电压者。第6图系用以说明实施形态2之水蒸气导入方法者。第7图系用以说明于含有通过沸腾装置之水蒸气之空气中焙烧蓝色萤光体时,发光强度之加热温度依存性者。第8图系用以说明实施形态3中导入水蒸气之方法者。第9图系用以说明实施形态3中加热炉之加热曲线图。第10图系一要部截面图,用以说明习知例之交流放电型电浆显示装置之面板部位结构者。
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