| 主权项 |
1.一种制造体声波滤波器元件之方法,包括步骤如下:提供一基板;在基板上镀上牺牲层,并以光罩及蚀刻定义牺牲层之平面形貌;在此结构上依序形成支撑层、下电极图案、压电材料层以及上电极图案;在所需的声波振荡器区域进行正面蚀刻;先以湿蚀刻或乾蚀刻去除牺牲层;并以基板的蚀刻液将基板蚀刻至一定的深度,形成空腔。2.如申请专利范围第1项之方法,其中牺牲层厚度在5m以下下,以节省沈积时间,并确保其平坦度。3.如申请专利范围第1项之方法,其中牺牲层可以选择与基板材料相同来采用同一蚀刻液程序,例如使用矽基板时,可选用多晶矽或非晶矽作为牺牲层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中牺牲层可以选择与基板材料相同来采用同一蚀刻液程序,例如使用玻璃基板时,可选用二氧化矽、SOG(Spin OnGlass)、PSG或BPSG等材料作为牺牲层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中牺牲层可以选择与基板材料不相同,换言之采用各自的蚀刻液并分别先后进行湿蚀刻之程序。6.如申请专利范围第1项之方法,其中牺牲层可以以Polyimide等高分子材料制备,先以氧离子乾式蚀刻(Oxygen plasma RIE),再并以实施下方基板之湿蚀刻制程。7.一种制造体声波滤波器元件之方法,包括步骤如下:提供一基板;在基板上以光罩定义要产生小三角锥的区域;以非均向蚀刻液形成许多小三角锥;在蚀刻窗(etching window)的区域以及预定区域沈积牺牲层;在此结构上形成支撑层、下电极图案、压电材料层及上电极图案;接下来蚀刻液则经由蚀刻窗进行蚀刻,产生了一预形成空腔的蚀刻窗;结合牺牲层蚀刻及基板蚀刻,来形成空腔。8.一种制造体声波滤波器元件之方法,包括步骤如下:提供一基板;在基板上在欲产生蚀刻窗(etching window)区域定义图案;先沈积第一牺牲层;在第一牺牲层上欲产生空腔处沈积第二牺牲层;形成支撑层;并对支撑层开孔,使得部分第一牺牲层裸露;将第一牺牲层移去,产生蚀刻窗;在此结构上形成下电极图案、上电极图案及压电材料层;在蚀刻窗区域的压电材料层产生不连续的沈积,提供了蚀刻窗;蚀刻液经由蚀刻窗进行蚀刻,产生了一预形成空腔的蚀刻窗;结合牺牲层蚀刻及基板蚀刻,来形成空腔。9.如申请专利范围第1项或第7项或第8项之方法,其中所述之上电极图案得为愈往外围单位面积上之有效金属密度愈小之渐变式电极。10.如申请专利范围第9项之方法,其中所述之渐变式电极为连续型渐变式电极。11.如申请专利范围第9项之方法,其中所述之渐变式电极为步阶型渐变式电极。12.如申请专利范围第9项之方法,其中所述之渐变式电极可为正方型、长方型、圆形、或是多边型。图式简单说明:第1图为先前技术中以背蚀刻之体声波滤波器示意图。第2图为先前技术中以正面基板体型蚀刻之体声波滤波器示意图。第3图为先前技术中利用牺牲层进行正面蚀刻体声波滤波器的示意图。第4图为本发明第一实施例以牺牲层蚀刻与基板体型蚀刻并合之蚀刻方式的示意图。第5图为本发明第二实施例产生蚀刻窗(etching window)的示意图。第6图为本发明第三实施例产生蚀刻窗(etching window)的示意图。第7图为本发明渐变式电极的示意图。第8图为本发明另一渐变式电极的示意图。 |
