| 主权项 |
1.一种单晶矽晶圆之制造方法,系藉对含有晶格间氧之单晶矽晶圆施予热处理以制造具有氧诱导缺陷之单晶矽晶圆,上述热处理至少具有利用电阻加热式之热处理炉进行热处理之工程,以及利用快速加热、快速冷却装置进行热处理之工程。2.如申请专利范围第1项之单晶矽晶圆之制造方法,其中利用上述电阻加热式之热处理炉之热处理系在1000至1300℃,10至300分钟之范围内进行,而利用上述快速加热、快速冷却装置之热处理系在1000至1350℃,1至300秒之范围内进行。3.如申请专利范围第1项之单晶矽晶圆之制造方法,其中用于进行上述热处理之单晶矽晶圆系使用在氧浓度为11010至51015个/cm3之范围内掺杂之单晶矽晶圆。4.如申请专利范围第2项之单晶矽晶圆之制造方法,其中用于进行上述热处理之单晶矽晶圆系使用在氧浓度为11010至51015个/cm3之范围内掺杂之单晶矽晶圆。5.如申请专利范围第1项之单晶矽晶圆之制造方法,其中用于进行上述热处理之单晶矽晶圆系使用在碳浓度为0.1至5ppma之范围内掺杂之单晶矽晶圆。6.如申请专利范围第2项之单晶矽晶圆之制造方法,其中用于进行上述热处理之单晶矽晶圆系使用在碳浓度为0.1至5ppma之范围内掺杂之单晶矽晶圆。7.如申请专利范围第3项之单晶矽晶圆之制造方法,其中用于进行上述热处理之单晶矽晶圆系使用在碳浓度为0.1至5ppma之范围内掺杂之单晶矽晶圆。8.如申请专利范围第4项之单晶矽晶圆之制造方法,其中用于进行上述热处理之单晶矽晶圆系使用在碳浓度为0.1至5ppma之范围内掺杂之单晶矽晶圆。图式简单说明:第1图为表示在本发明所使用之快速加热,快速冷却装置CRTA装置之一例之概略图。第2图为表示来自实施例3,4,比较例5,6中之晶圆表面之研磨量与TZDB良品率之关系之结果图。 |
