| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含有:在具有电极之半导体元件形成贯穿孔之第1制程;以及在包含上述贯穿孔内侧之领域形成导电层之第2制程。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,系在上述电极形成连通上述贯穿孔之孔,在上述电极之至少一部分堆叠形成上述导电层。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,系以具有开口端部,及口径较上述开口端部大之中间部之形状形式上述贯穿孔。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,系以所有部分之口径大致相同之形状形成上述中间部,并以进一步具有连接上述开口端部及上述中间部之锥形部之形状形成上述贯穿孔。5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,系在上述第1制程预先形成口径较上述贯穿孔小之小孔,而扩大上述小孔以形成上述贯穿孔。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,系在上述第1制程形成上述贯穿孔之位置形成凹部,藉上述凹部定位形成上述小孔。7.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,系以雷射光束形成上述小孔,藉湿蚀刻扩大上述小孔。8.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,包含有形成电气连接部之制程。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,在第2制程将上述连接部当作上述导电层之一部分形成。10.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,进一步含有,在上述第1制程后,上述第2制程前,在上述贯穿孔之内壁面形成绝缘膜之制程,而在上述第2制程,于上述绝缘膜上形成上述导电层。11.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,进一步含有,在上述第1制程后,上述第2制程前,在上述贯穿孔之内壁面形成绝缘膜之制程,而在上述第2制程,在上述绝缘膜上形成上述导电层。12.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,进一步含有,在上述第1制程后,上述第2制程前,在上述贯穿孔之内壁面形成绝缘膜之制程,而在上述第2制程,在上述绝缘膜上形成上述导电层。13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,系藉化学气相堆积法形成上述绝缘膜。14.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,系藉无电解电镀法形成上述导电层。15.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,至少在上述导电层之形成领域露出配设触媒,在上述触媒之露出领域进行可使导电材料析出之无电解电镀,以上述导电材料形成上述导电层。16.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,上述半导体元件系半导体晶片。17.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置之制造方法,上述半导体元件系半导体晶圆之一部分。18.一种半导体装置之制造方法,包含有,堆叠由申请专利范围第1项至第4项中任一项之方法制造之半导体装置,以电气方式连接上下半导体装置之上述导电层之制程。19.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,包含将上述半导体晶圆切断成个片之制程。20.一种半导体装置,包含:有电极,并形成有贯穿孔之半导体元件;以及,形成在包含上述贯穿孔内侧之领域之导电层。21.如申请专利范围第20项之半导体装置,在上述电极形成有连通上述贯穿孔之孔,上述电极层系堆积形成在上述电极之至少一部分。22.如申请专利范围第20项之半导体装置,上述贯穿孔系以具有开口端部,及口径较上述开口端部大之中间部之形状形式。23.如申请专利范围第22项之半导体装置,上述中间部系以所有部分之口径大致相同之形状形成,上述贯穿孔系以进一步具有连接上述开口端部及上述中间部之锥形部之形状形成。24.如申请专利范围第20项之半导体装置,系以上述导电层之一部分配设上述连接部。25.如申请专利范围第20项至第24项中任一项之半导体装置,进一步备有形成在上述贯穿孔之内壁面之绝缘膜,在上述绝缘膜上形成上述导电层。26.如申请专利范围第20项至第24项中任一项之半导体装置,上述半导体元件系半导体晶片。27.如申请专利范围第20项至第24项中任一项之半导体装置,上述半导体元件系半导体晶圆之一部分。28.一种半导体装置,系堆叠申请专利范围第26项之半导体装置,上下之半导体装置之上述导电层以电气方式连接在一起。29.一种电路基板,其特征为安装有半导体装置,该半导体装置包含:具有电极,且形成有贯穿孔之半导体晶片;及形成于包含上述贯穿孔内侧的领域之导体层。30.一种电子机器,其特征为具有半导体装置,半导体装置包含:具有电极,且形成有贯穿孔之半导体晶片;及形成于包含上述贯穿孔内侧的领域之导体层。图式简单说明:第1图A-第1图C系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之图。第2图A-第2图C系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之图。第3图A-第3图C系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之图。第4图A-第4图C系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之图。第5图A-第5图C系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之图。第6图A-第6图B系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之图。第7图A-第7图B系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之图。第8图A-第8图B系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之图。第9图系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之图。第10图系表示应用本发明之实施形态之半导体装置之制造方法之图。第11图表示应用本发明之实施形态之其他半导体装置之图。第12图系表示安装本实施形态之半导体装置之电路基板之图。第13图系表示具有本实施形态之半导体装置之电子机器之图。第14图系表示具有本实施形态之半导体装置之电子机器之图。 |
