| 主权项 |
1.一种反熔丝的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一内金属介电层;于该内金属介电层中形成一漏斗形介层窗洞;于该基底上形成一第一导体层,并填满该漏斗形介层窗洞;去除该漏斗形介层窗洞以外的该第一导体层,以形成一导体插塞;进行一氧化物化学机械研磨制程,以圆滑化该导体插塞,并使该导体插塞顶端凸出该内金属介电层;于该导体插塞顶部覆盖一介电层;于该介电层上形成一顶盖层;于该基底上形成一具有一介层窗洞的绝缘层,且该介层窗洞暴露出该顶盖层;以及于该基底上形成一第二导体层,以填满该介层窗洞。2.如申请专利范围第1项所述之反熔丝的制造方法,其中去除该漏斗形介层窗洞以外的该第一导体层之该步骤包括化学机械研磨制程。3.如申请专利范围第1项所述之反熔丝的制造方法,其中该介电层的材质包括氧化物。4.如申请专利范围第1项所述之反熔丝的制造方法,其中该介电层的材质包括氧化矽∕氮化矽∕氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之反熔丝的制造方法,其中该介电层的材质包括非晶矽。6.如申请专利范围第1项所述之反熔丝的制造方法,其中该介电层的材质包括氮化矽∕非晶矽。7.如申请专利范围第1项所述之反熔丝的制造方法,其中该顶盖层的材质包括氮化钛。8.如申请专利范围第1项所述之反熔丝的制造方法,其中该第二导体层的材质包括铝。9.如申请专利范围第1项所述之反熔丝的制造方法,其中该第一导体层的材质包括钨。10.如申请专利范围第9项所述之反熔丝的制造方法,其中去除该漏斗形介层窗洞以外的该第一导体层之该步骤包括钨化学机械研磨制程。11.一种反熔丝的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一内金属介电层;于该内金属介电层中形成一第一介层窗洞,该第一介层窗洞的开口较宽底部较窄,其中该第一介层窗洞的较窄部位具有一第一高度;于该基底上形成一第一导体层,并填满该第一介层窗洞;去除该第一介层窗洞以外的该第一导体层,以形成一导体插塞;进行一氧化物化学机械研磨制程,以圆滑化该导体插塞,并去除该第一介层窗洞开口较宽部位的该内金属介电层,其中该导体插塞的高度大致与该第一高度一样;于该导体插塞顶部覆盖一介电层;于该介电层上形成一顶盖层;于该基底上形成一具有一第二介层窗洞的绝缘层,且该第二介层窗洞暴露出该顶盖层;以及于该基底上形成一第二导体层,以填满该第二介层窗洞。12.如申请专利范围第11项所述之反熔丝的制造方法,其中去除该第一介层窗洞以外的该第一导体层之该步骤包括化学机械研磨制程。13.如申请专利范围第11项所述之反熔丝的制造方法,其中该介电层的材质包括氧化物。14.如申请专利范围第11项所述之反熔丝的制造方法,其中该介电层的材质包括氧化矽∕氮化矽∕氧化矽层。15.如申请专利范围第11项所述之反熔丝的制造方法,其中该介电层的材质包括非晶矽。16.如申请专利范围第11项所述之反熔丝的制造方法,其中该介电层的材质包括氮化矽∕非晶矽。17.如申请专利范围第11项所述之反熔丝的制造方法,其中该顶盖层的材质包括氮化钛。18.如申请专利范围第11项所述之反熔丝的制造方法,其中该第二导体层的材质包括铝。19.如申请专利范围第11项所述之反熔丝的制造方法,其中该第一导体层的材质包括钨。20.如申请专利范围第19项所述之反熔丝的制造方法,其中去除该第一介层窗洞以外的该第一导体层之该步骤包括钨化学机械研磨制程。图式简单说明:第1A图至第1E图是习知一种反熔丝之制造流程剖面图;以及第2A图至第2E图是依照本发明一较佳实施例之反熔丝之制造流程剖面图。 |
