| 主权项 |
1.一种制造表面光栅于平面波导装置中之方法,该方法包含:提供基质材料,其包含:基质层,第一心蕊层,第二心蕊层,以及第一抗光蚀层;产生第一光栅照射以及多个对准标记于基质材料上;将第二心蕊层进行第一蚀刻以在第二心蕊层中形成光栅;将第二抗光蚀层沉积在第一次蚀刻后所残留之基质材料上;在第一心蕊层中波导图案作第二照射;以及第一心蕊层进行第二蚀刻以界定出第一波导于第一心蕊层中,第一波导包含了含有表面光栅的第一部分。2.依据申请专利范围第1项之方法,其中更进一步包含:在第一心蕊层蚀刻后沉积外包层于第一心蕊层上。3.依据申请专利范围第1项之方法,其中基质材料更进一步包含:第一包层位于第一及第二心蕊层之间。4.依据申请专利范围第3项之方法,其中光栅为Bragg反射器表面光栅,其具有模耦合系数-长度乘积数値为4.15,其中第一心蕊层折射率为1.46。5.依据申请专利范围第1项之方法,其中产生第一照射包含:沉积光学遮罩于基质材料抗光蚀层与光源之间,光学遮罩包含光栅图案以及对准标记图案;以及以光源之光线照射相位遮罩。6.依据申请专利范围第5项之方法,其中光学遮罩包含多个光栅图案以及多个对准标记图案,其中第二心蕊层蚀刻形成多个光栅以及对准标记于第二心蕊层中,其中产生波导图案之第二照射,该波导图案含有相对于多条波导之多条条纹,以及其中第一心蕊层之蚀刻界定出一组多条波导于第一心蕊层中,每一多条波导纤具有每一波导表面光栅之第一部份。7.依据申请专利范围第6项之方法,其中平面波导装置为单体性,其中表面光栅蚀刻于基质材料上而在平面波导装置之相位区域平行路径上,其中多个表面光栅具有相同的长度,以及每一表面光栅以一角度相对于平面波导装置之纵向中心轴。8.依据申请专利范围第1项之方法,其中产生第一照射包含:利用干涉光束装置进行全像摄影技术对第一抗光蚀层上光栅作照射。9.依据申请专利范围第1项之方法,其中基质层厚度为0.5毫米至2毫米,第一心蕊层厚度为1微米至10微米,以及第二心蕊层厚度为0.1微米至2微米。10.依据申请专利范围第1项之方法,其中第一及第二心蕊层由Si,SiO2,含有掺杂剂之SiO2,以及SiON种类选取出。图式简单说明:第一图(图1)显示出单片的平面波导装置;第二图A-B(图2A-2B)显示根据本发明的实施例,在平面波导装置中制造光栅之方法的示意图;第二图C(图2C)显示根据本发明另一实施例的相位遮罩,其被用来照射波导装置上之光栅;第三图A-B(图3A-3B)显示本发明实施例的方法制造出的单片平面波导装置范例;而第四图A-B(图4A-4B)显示根据本发明另一实施例,在平面波导装置中制造出光栅之方法的示意图。 |
