| 主权项 |
1.一种制作W/TiN闸极电晶体之方法,该方法至少包括下列步骤:形成一绝缘层于半导体底材上;形成一开口于该绝缘层之中并暴露底材;形成闸极氧化层于该底材之上于该开口底部;沿着该开口形成阻障金属;形成导电层于该阻障金属之上;平坦化该导电层与该阻障金属;去除该绝缘层以形成闸极结构;去除该侧壁上之阻障金属;形成轻微掺杂汲极于该底材之中闸极之侧;形成侧壁间隙于该闸极之侧壁;及形成汲极与源极于底材之中,该及轻微掺杂汲极之侧。2.如申请专利范围第1项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之绝缘层包含氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。3.如申请专利范围第1项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之阻障金属包含氮化钛、钨、铜或铝。4.如申请专利范围第1项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之导电层包含钨。5.一种制作W/TiN闸极电晶体之方法,该方法至少包括下列步骤:形成一绝缘层于半导体底材上;形成一开口于该绝缘层之中并暴露底材;形成闸极氧化层于该底材之上于该开口底部;沿着该开口形成阻障金属;形成导电层于该阻障金属之上;平坦化该导电层与该阻障金属;去除该绝缘层以形成闸极结构;以大角度斜向离子布植技术形成轻微掺杂汲极于该底材之中闸极之侧;形成侧壁间隙于该闸极之侧壁;及形成汲极与源极于底材之中,该及轻微掺杂汲极之侧。6.如申请专利范围第5项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之绝缘层包含氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。7.如申请专利范围第5项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之阻障金属包含氮化钛、钨、铜或铝。8.如申请专利范围第5项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之导电层包含钨。9.如申请专利范围第5项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之大角度斜向离子布植技术包含LATIPS(large tilt-angle implanted punch-through stopper)技术。10.一种制作W/TiN闸极电晶体之方法,该方法至少包括下列步骤:形成一绝缘层于半导体底材上;形成一开口于该绝缘层之中并暴露底材;形成闸极氧化层于该底材之上于该开口底部;沿着该开口形成阻障金属;形成导电层于该阻障金属之上;平坦化该导电层与该阻障金属;去除该绝缘层以形成闸极结构;去除该侧壁上之阻障金属,并形成底切于该闸极下方;形成侧壁间隙于该闸极之侧壁;以大角度斜向离子布植技术形成轻微掺杂汲极于该底材之中闸极之侧;及形成汲极与源极于底材之中,该及轻微掺杂汲极之侧。11.如申请专利范围第10项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之绝缘层包含氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。12.如申请专利范围第10项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之阻障金属包含氮化钛、钨、铜或铝。13.如申请专利范围第10项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之导电层包含钨。14.如申请专利范围第10项之制作W/TiN闸极电晶体之方法,其中上述之大角度斜向离子布植技术包含LATIPS(large tilt-angle implanted punch-through stopper)技术。15.一种具W/TiN闸极之电晶体包括:闸极氧化层,形成于半导体底材之上;闸极,形成于该闸极氧化层之上,其中上述之闸极以阻障金属及主要闸极结构组成;导电侧壁间隙,形成于该闸极之侧壁;绝缘侧壁间隙,形成于该导电侧壁间隙之侧壁;轻微掺杂汲极,形成于该底材之中,该闸极之侧;及汲极与源极,形成于该底材之中,该轻微掺杂汲极之侧。16.如申请专利范围第15项之具W/TiN闸极之电晶体,其中上述之阻障金属包含氮化钛、钨、铜或铝。17.如申请专利范围第15项之具W/TiN闸极之电晶体,其中上述之主要闸极结构包含钨。18.如申请专利范围第15项之具W/TiN闸极之电晶体,其中上述之导电侧壁间隙包含氮化钛、钨、铜或铝。19.一种具W/TiN闸极之电晶体包括:闸极氧化层,形成于半导体底材之上;闸极,形成于该闸极氧化层之上,其中上述之闸极以阻障金属及主要闸极结构组成,一底切形成于该闸极下;绝缘侧壁间隙,形成于该导电侧壁间隙之侧壁并填入该底切中;轻微掺杂汲极,形成于该底材之中,该闸极之侧;及汲极与源极,形成于该底材之中,该轻微掺杂汲极之侧。20.如申请专利范围第19项之具W/TiN闸极之电晶体,其中上述之阻障金属包含氮化钛、钨、铜或铝。21.如申请专利范围第19项之具W/TiN闸极之电晶体,其中上述之主要闸极结构包含钨。图式简单说明:图一为半导体底材之截面图,显示根据本发明在一半导体底材上形成阻障金属以及钨金属之步骤。图二为半导体底材之截面图,显示根据本发明形成一闸极结构之步骤。图三为半导体底材之截面图,显示根据本发明去除介电层之步骤。图四为半导体底材之截面图,显示根据本发明选择性去除阻障金属之步骤。图五为半导体底材之截面图,显示根据本发明行程汲极与源极之步骤。图六为半导体底材之截面图,显示根据本发明于闸及下侧形成底切步骤。 |
